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【会员新闻】多家联盟会员单位出席IFWS 2025，聚焦超宽禁带半导体技术探讨最新进展
日期：2025-11-19阅读：101
11月11-14日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、厦门大学（XMU）共同主办的“第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2025）于厦门召开。
期间，由深圳平湖实验室、苏州思体尔软件科技有限公司协办支持的“超宽禁带半导体技术”分论坛上，来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入探讨，追踪最新进展。大连理工大学集成电路学院院长、教授梁红伟，中山大学教授、福建晶旭半导体科技有限公司首席科学家王钢，北京大学教授于彤军，西安交通大学副教授李强，厦门大学教授张洪良共同主持了该分论坛。
特邀主持嘉宾
▶梁红伟--大连理工大学集成电路学院院长、教授
▶王钢--中山大学教授、福建晶旭半导体科技有限公司首席科学家
▶于彤军--北京大学教授
▶李强--西安交通大学副教授
报告嘉宾
▶福建晶旭半导体科技有限公司首席科学家、中山大学教授王钢发表《硅衬底氧化镓异质外延生长及应用》主题演讲。
▶南京大学电子科学与技术学院副院长、教授叶建东（团队替）发表《氧化镓半导体物相调控研究》主题演讲。
▶深圳平湖实验室研究员查显弧发表《通过添加金属元素调节β-Ga₂O₃的电子能带以及β-(RhxGa₁-x)₂O₃的p型导电性》主题演讲。
▶大连理工大学集成电路学院院长梁红伟发表《氮化硼单晶中子探测器》主题演讲。
▶中国科学院物理所研究员白雪冬发表《单晶氮化硼薄膜的外延生长》主题演讲。
▶西安交通大学副教授李强发表《六方氮化硼柔性深紫外光电探测器》主题演讲。
▶中科院半导体研究所石义鸣发表《六方氮化硼上远程外延和范德华外延β相氧化镓》主题演讲。
▶郑州大学杨小天发表《基于GaP与h-BN异质结构的电子及光学特性调控》主题演讲。
▶中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所赵邓瑞发表《六方氮化硼柔性深紫外光电探测器》主题演讲。
▶北京大学教授于彤军发表《大尺寸AlN单晶生长及迭代优化》主题演讲。
▶北京化工大学教授张纪才发表《半极性氮化铝材料的HVPE生长及其器件应用研究》主题演讲。
▶西安电子科技大学教授宁静发表《用于超宽禁带半导体的新型异质结构与器件》主题演讲。
▶日本名古屋大学博士后研究员林莹莹发表《阴极荧光分析研究氮化铝中的铍受主态》主题演讲。
▶中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、研究员张晓东发表《异质外延氧化镓薄膜及其高性能紫外探测器研究》主题演讲。
▶厦门大学教授张洪良发表《氧化镓外延薄膜及表界面电子结构研究》主题演讲。
▶浙江大学研究员王珩宇发表《氧化镓功率器件界面工程与电场调控技术》主题演讲。
▶杭州镓仁半导体有限公司首席技术官夏宁发表《大尺寸氧化镓单晶生长及缺陷》主题演讲。
▶九峰山实验室研究员彭若诗发表《氧化镓沟槽二极管器件研究》主题演讲。
▶香港大学副教授、香港青年科学院院士、DiamNEX创始人兼首席科学家褚智勤发表《柔性金刚石薄膜》主题演讲。
▶中国科学院半导体研究所研究员张逸韵发表《金刚石辐射器件研究》主题演讲。
▶西安电子科技大学教授任泽阳发表《金刚石表面终端电导器件和散热应用研究》主题演讲。
▶桂林电子科技大学信息与通信学院副院长张法碧发表《氧化镓阻变和稀土掺杂性能》主题演讲。
▶北京大学物理学院助理教授王平发表《新兴纤锌矿氮化物铁电半导体材料与器件》主题演讲。
▶西安电子科技大学杭州研究院副教授王轶博发表《关于β-Ga₂O₃ MOSFET 和二极管的界面处理及可靠性的研究》主题演讲。
▶香港科技大学研究助理教授周文鹏发表《氧化镓功率晶体管的电场管理与动态性能优化研究》主题演讲。
▶中国科学技术大学刘金扬发表《基于Ar等离子体处理提升β-Ga₂O₃肖特基二极管的击穿与浪涌电流能力》主题演讲。
▶西安电子科技大学丁斌斌发表《磁控溅射法定向异质外延β-Ga₂O₃（-201）》主题演讲。
▶中国科学技术大学王悦发表《表面台阶形貌对AlN同质外延过程中堆垛层错形成的影响》主题演讲。
▶深圳大学范泽龙发表《用于真空紫外线检测的氮化铝微片光电探测器：高选择性、快速响应及热稳定性》主题演讲。
