【会议论文】mist-CVD法制备的锗掺杂β-Ga₂O₃薄膜的同向外延生长

        论文简介：来自京都工艺纤维大学电子系，京都工艺纤维大学电气电子系和MIRISE技术公司电力电子研发二部的T. Ogawa，H. Nishinaka，K. Shimazoe，Tatsuji Nagaoka，Hiroki Miyake和M. Yoshimoto联合发表的一篇名为《Homoepitaxial growth of Ge-doped β-Ga₂O₃ films by mist chemical vapor deposition》的论文文章。该文章介绍β-Ga₂O₃的同向外延生长。