【会议信息】APCSCRM 2025 前瞻：联盟带你聚焦氧化镓核心看点

        国家第三代半导体技术创新中心(深圳)于2021年12月由科技部授牌，2022年8月由深圳市科技创新局举办成立深圳平湖实验室作为主体运营单位，围绕SiC和GaN及下一代先进功率电子材料及器件、核心装备及零部件、配套材料等领域，开展核心技术攻关。

        实验室位于深圳市龙岗区罗山科技园，占地面积130亩，100级洁净间面积9500平米，拥有业界领先的宽禁带功率半导体基础设施，国际、国内各类先进设备380余台套。实验室人力规模超390人，汇聚海内外顶尖人才，打造面向全国的开放、公共、共享的科研、中试和分析检测平台，共同构建可持续发展的未来。

        公司成立于2019年12月31日，是杭州光学精密机械研究所注册成立的第一家“硬科技”企业，公司以“让世界用上好材料”为愿景，开展宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD/MBE外延片、布里奇曼法（VB法）及导模法(EFG法)晶体生长装备、衬底研磨抛光装备等，为材料研制提供系统性解决方案，加速超宽禁带氧化镓产业全链路贯通，推进氧化镓材料在功率器件、微波射频器件及光电探测等领域应用。

        富加镓业获得了国际专利授权12项（美国6项，日本6项），国内专利授权40项，“富加镓业”商标认证注册3项，软件著作权（“一键长晶”控制软件）4项。

        山东晶升电子科技有限公司是一家专注于半导体装备研发和生产的国家级高新技术企业。公司主要产品为第三代、第四代半导体高端装备以及各种晶体生长装备，广泛应用于集成电路功率器件、半导体材料、太阳能电池、LED芯片制造、新能源等多个领域。

        晶升电子注重技术创新，拥有多项自主知识产权，致力于为客户提供高质量的产品和解决方案。公司秉承“诚信、创新、合作、共赢”的经营理念，持续提升核心竞争力，推动行业技术进步。

        苏州镓和半导体有限公司,是一家专注于超宽禁带半导体材料—氧化镓（Ga₂O₃）的高科技企业。公司以突破氧化镓产业关键核心技术壁垒为使命，集材料研发、器件设计与生产应用于一体，致力于提供高性能的氧化镓材料与解决方案，驱动下一代功率电子的革新。目前，公司已成功突破6英寸氧化镓晶体生长技术，实现高质量单晶衬底的稳定量产。公司可为客户提供一系列高度定制化的材料、外延以及器件开发服务，助力实现技术突破与产品创新。

        公司成立于2021年，是一家注册在苏州、具备世界领先技术的非接触式半导体检测分析设备制造商。公司集研发、设计、制造、销售于一体，主要攻克国外垄断技术，替代进口产品，使半导体材料测试设备国产化。

        主要产品：非接触式无损方块电阻测试仪、晶圆方阻测试仪，方阻测试仪，硅片电阻率测试仪，涡流法高低电阻率分析仪，晶锭电阻率分析仪，涡流法电阻率探头和PN探头测试仪，迁移率（霍尔）测试仪，少子寿命测试仪，晶圆、硅片厚度测试仪，表面光电压仪JPV\SPV。为碳化硅、硅片、氮化镓、氧化镓、金属薄膜、玻璃、衬底和外延厂商提供测试和解决方案。

        凭借先进的技术和丰富的产品线，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体专用设备提供商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。

        芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司于2020年在苏州工业园区创立，是一家面向世界，拥有高端人才和自主知识产权的先进半导体芯片制造设备公司，致力于建立世界领先的半导体产业关键设备和核心技术平台。团队核心管理和技术专家均拥有数十年多种高端半导体芯片制造设备研发和产业化的成功经验。

        公司目前聚焦SiC/GaN等第三代半导体外延设备的研发、制造、销售和服务，为国内外客户提供适合大规模量产和前瞻性科研的芯片制造设备和先进技术方案，未来将扩展多种半导体设备。

        芯三代是国内率先实现6吋和8吋垂直气流碳化硅外延设备批量销售的厂商，设备已进入十几家业内头部客户，并已进行长时间批量生产。

        山东力冠微电子装备有限公司（简称：山东力冠），成立于2013年。经过十二年的发展，山东力冠已成为国内外一家集研发、生产、销售为一体的先进半导体装备制造与工艺技术服务商。

        公司产品涵盖第一代至第四代半导体材料工艺设备，均拥有自主知识产权，完全自主可控，产品广泛应用于集成电路、功率半导体、化合物半导体、5G芯片、光通信、MEMS等新型电子器件制造领域。

        公司可为客户提供“设备制造+工艺技术服务”一体化解决方案。

        日本 Novel Crystal Technology, Inc. 是世界上第一家氧化镓基板、外延及器件的研发及生产型企业。从氧化镓晶体生长、衬底制作、外延生长一直到器件的研究生产,全部走在世界氧化镓行业最前沿，全力带领行业迈向产业化发展之路。

        万德思诺集团作为日本 Novel Crystal Technology, Inc.在中国地区的指定代理商，全权负责日本 NCT 在中国地区的品牌营销、市场推广及售后服务。秉承”引领尖端技术、服务行业客户”的理念，以全球领先的尖端技术为引擎,深度定制“材料 ·设备 ·工艺”三位一体解决方案，为客户创造不可替代的产业价值。

        氧化镓衬底及外延片、氧化镓SBD器件：提供日本NCT高质量氧化镓单晶衬底、外延和器件产品，可供应多种定制化产品型号，并应用于器件验证、外延生长及晶片加工等不同领域的研究和开发工作。

        氧化镓晶体生长炉（EFG/VB）：日本进口晶体生长设备，可实现EFG倒模提拉法和VB垂直布里奇曼法生长超宽禁带氧化镓单晶半导体材料。设备可对应2-6英寸单晶材料的生长需求，同时可满足用户客制化的需求设计。

        碳化硅晶体生长炉（PVT/TSSG）：日本进口晶体生长设备，可实现PVT升华法和TSSG溶液法生长碳化硅单晶半导体材料。设备可对应6-8英寸单晶材料的生长需求，同时可满足用户客制化的需求设计。

        苏州瑞霏光电科技有限公司，专业从事先进光学检测及成像系统研发与生产的高新技术企业，2018年8月注册于苏州太仓，在上海设有研发中心及分公司，在深圳设有办事处。公司拥有由清华大学、苏州大学、上海理工大学等高校博士领衔的研发团队，现公司已获授权发明专利和实用新型专利50余项、软件著作权10项。

        面对以氧化镓为代表的第四代半导体产业化浪潮，公司率先布局核心检测技术攻关，致力于解决制约氧化镓材料应用的微观形貌、应力分布及缺陷识别等检测瓶颈，推动宽禁带半导体产业的智能化升级。瑞霏光电聚焦氧化镓晶圆检测领域，通过自主创新研发了一系列行业领先的检测技术与装备，推出了覆盖实验室（半自动型）及量产线（全自动型）的检测设备系列，满足不同场景需求。公司将持续投入氧化镓及其他宽禁带半导体检测技术的创新研发，致力于成为全球高端半导体检测装备的领军企业。

        河北普兴电子科技股份有限公司成立于2000年11月，是国家认定的高新技术和集成电路生产企业，公司致力于高性能半导体外延材料的研发和生产。公司有近60年的外延经验，从1962年开始率先进行硅外延材料的研究，是国内首家完成8英寸硅外延量产的企业，同时也在国内率先量产6/8英寸碳化硅外延，外延技术水平和产品质量获得业界的一致认可，时至今日普兴公司已成为国内外延材料生产龙头企业，科研实力和市场占有率保持国内领先地位。普兴公司现有6、8英寸各类硅外延片产能达600万片/年，6/8英寸碳化硅产能达36万片/年；产品可广泛应用于军工核能、航空航天、新能源汽车及消费电子等领域，在国内外市场享有较高的声誉。

        碳化硅外延片：6英寸和8英寸碳化硅同质外延片产品是第三代宽禁带半导体材料，拥有禁带宽度大、载流子速度快、热导率高等优点具有重要的战略意义，其生产技术是当前世界各国科技竞争的焦点之一。目前碳化硅宽禁带半导体材料的应用，均需在衬底上生长外延层后方可使用。碳化硅同质外延片是制造大功率、高压功率器件的理想材料，碳化硅功率器件比传统的硅功率器件有着更好的性能，更高的功率密度，广泛应用在LED、太阳能风力发电、新能源汽车、航空航天、轨道交通、高压输配电、各种探测器等领域。

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