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【器件论文】采用双栅氧化铟镓锌薄膜晶体管的阈值电压调制低功耗扫描驱动电路
日期:2025-11-23阅读:34
由韩国成均馆大学的研究团队在学术期刊 IEEE Transactions on Electron Devices 发布了一篇名为 Low-Power Scan Driver Circuit Employing Threshold Voltage Modulation With Double-Gate Indium–Gallium–Zinc Oxide Thin-Film Transistors( 采用双栅氧化铟镓锌薄膜晶体管的阈值电压调制低功耗扫描驱动电路)的文章。
摘要
本文提出了一种基于双栅(DG)非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜晶体管(TFT)的新型低功耗扫描驱动电路。为实现低功耗,采用了基于 DG TFT 的阈值电压(VTH)调制方法,从而实现增强型工作模式。通过实验测量验证了所设计电路的功能,同时模拟结果也支持该验证。利用 VTH 调制机制,在 VTH 偏移 −3 V 的情况下,电路功耗仅增加 23.9 %,对负向 VTH 变化的敏感度远低于基于单栅(SG)TFT 的电路。因此,该电路能够保证稳定且一致的低功耗运行。
原文链接:
https://doi.org/10.1109/TED.2025.3625948

