【会议论文】硅掺杂κ-Ga₂O₃外延中硅烷介导的晶格扩展及对平面内电子传导的相关影响

        论文简介：来自帕尔马大学数学、物理和计算机科学系，意大利IMEM-CNR公司，匈牙利科学院能源研究中心，技术物理和材料科学研究所，帕尔马大学化学、生命科学和环境可持续发展系，科罗拉多矿业大学共享仪器设施，德国莱布尼茨研究所柏林电子学院PDI固体电子学研究所，柏林工业大学固体物理研究所和德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所的P. Mazzolini，Z. Fogarassy，A. Parisini，F.Mezzadri，D. Diercks，M. Bosi，L. Seravalli，A. Sacchi，G. Spaggiari，D. Bersani，O. Bierwagen，B. M. Janzen，M. N. Marggraf，M. R. Wagner，I. Cora，B. Pécz，A. Tahraoui，A. Bosio，C. Borelli，S. Leone和R. Fornari联合发表了一篇名为《Silane-mediated expansion of domains in Si-doped κ-Ga₂O₃ epitaxy and relevant effect on the in-plane electronic conduction》的论文文章。该文章介绍了κ-Ga₂O₃的相关实验数据。