【国际时事】俄亥俄州立大学选择AIXTRON CCS MOCVD系统用于下一代氧化镓器件的开发

        俄亥俄州立大学已购置一套 AIXTRON CCS MOCVD 系统，用于推进 100 mm 晶圆上的 GaO_x 和 AlGaO_x 外延技术，加速在下一代宽带隙及超宽带隙器件领域的研发进程。

        俄亥俄州立大学（OSU）从AIXTRON购置了一套金属有机化学气相沉积（CCS MOCVD）紧耦合喷头系统。该设备将用于在 100 mm 衬底上进行氧化镓（GaO_x）和氧化铝镓（AlGaO_x）的先进外延生长，以推进材料与器件研发。

        这套先进的 MOCVD 系统正推动宽带隙与超宽带隙器件研发的革命性突破。

        AIXTRON CCS MOCVD 系统以卓越可靠性与性能著称，可为各类化合物材料沉积高质量均匀薄膜。相较传统半导体材料，氧化镓及其合金在高电压、高频及高温环境下表现出更优异的性能。该新设备将助力俄勒冈州立大学研究人员探索材料特性、开发新型器件架构，并推动半导体技术边界拓展。

        俄亥俄州立大学研究副校长兼材料与制造研究所（IMR）执行主任 Steven A. Ringel 教授表示 "我们过去在 GaAs 和磷化铟材料领域使用 AIXTRON CCS 反应器积累了丰富经验。其反应器以顶尖的均匀性、高材料质量和宽广工艺窗口享誉全球。AIXTRON 在氧化镓（GaO_x）和铝镓氧化物（AlGaO_x）领域已充分展现其优势，我们期待借助该设备与爱思通合作开发新型超宽带隙外延层及器件。该平台为我们及合作伙伴提供的可扩展性尤为珍贵，同时能立即支持 4 英寸晶圆加工。因此期待与 AIXTRON 共同迈向新阶段。”

        AIXTRON 首席执行官费 Felix Grawert 博士同样充满热情地表示："我们很高兴宣布与俄亥俄州立大学及 Hongping Zhao、Siddarth Rajan、Steve Ringel 三位教授建立合作。我们的 CCS 金属有机化学气相沉积设备始终以卓越性能支持前沿学术研究，并能无缝扩展至一级工业应用领域。尤其看好氧化镓技术的前景，这项技术将引领新一代功率器件的发展。此次合作彰显了我们推动半导体行业创新与研发的坚定承诺。"

        这款支持 100 mm Ga₂O₃ 工艺的 MOCVD 反应器将安装于纳米科技西实验室——这座 3500 m² 的共享用户设施服务于俄亥俄州立大学半导体与材料研究社群。该实验室由 IMR 运营，作为跨学科研究机构，IMR 为俄亥俄州立大学核心研究领域的重大科研设施提供基础设施支持、开发与管理服务。