【器件论文】通过分子束外延生长四方相 PtO 并将其集成到 β-Ga₂O₃ 肖特基二极管中

        由美国康奈尔大学的研究团队在学术期刊 APL Materials 发布了一篇名为  Growth of tetragonal PtO by molecular-beam epitaxy and its integration into β-Ga₂O₃ Schottky diodes（通过分子束外延生长四方相 PtO 并将其集成到 β-Ga₂O₃ 肖特基二极管中）的文章。

摘要

        本研究利用臭氧分子束外延（ozone MBE）在 MgO、TiO₂ 和 β-Ga₂O₃ 单晶衬底上实现了四方相一氧化铂（PtO）的外延生长。研究者提供了合成路径，并构建了可通过物理气相沉积方式获得 PtO 薄膜的生长相图。电输运与光电子能谱测试结合密度泛函理论（DFT）计算表明，PtO 是一种简并掺杂的 p 型半导体，带隙约为 E_g ≈ 1.6 eV。通过光谱椭偏测量提取其复介电函数谱，可观察到从自由载流子吸收向更高光子能量（约 E ≈ 1.6 eV）的跃迁行为。以四方相 PtO 作为阳极接触材料，在 n 型 Sn 掺杂 β-Ga₂O₃ 衬底上制备了原型肖特基二极管，并提取到肖特基势垒高度 ϕ_B > 2.2 eV。

原文链接：

https://doi.org/10.1063/5.0274229