【会议论文】通过MOVPE在(010)β-Ga₂O₃基底上的同质外延层生长的温度依赖性

        论文简介：来自东京农工大学应用化学系、日本大阳日酸、日本气象成长株式会社、东京农工大学电气电子工学科和东京农工大学全球创新研究所的K. Ikenaga、T. Nishimura、K. Goto、M. Ishikawa、H. Machida、T. Ueno和Y. Kumagai联合发表了一篇名为《Temperature dependence of homoepitaxial layer growth by MOVPE on (010) β-Ga₂O₃ substrate》的论文文章。该文章介绍了关于氧化镓基底同质外延层的温度依赖性。