【外延论文】在(010) β-Ga₂O₃ 衬底上通过四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法刻蚀制备 β-Ga₂O₃ 空气间隙结构

        由日本国立材料研究所的研究团队在学术期刊 Applied Physics Express 发布了一篇名为 Fabrication of β-Ga₂O₃/air-gap structures on (010) β-Ga₂O₃ by wet etching in tetramethylammonium hydroxide (TMAH)（在(010) β-Ga₂O₃ 衬底上通过四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法刻蚀制备β-Ga₂O₃/空气间隙结构）的文章。

摘要

        本文展示了在 (010) β-Ga₂O₃ 衬底上通过连续干法刻蚀和晶体学湿法刻蚀制备 β-Ga₂O₃ /空气间隙结构。采用 25 wt% 四甲基氢氧化铵（TMAH）溶液在 90 °C 下进行湿法刻蚀，当横向方向与 [001] 对齐时，横向与纵向的刻蚀速率比约为 11。显著的横向刻蚀使得干法刻蚀形成的 β-Ga₂O₃ 台阶能够被下切，形成沿 [201] 延伸的悬臂和空气桥（该方向垂直于 [001]）。这种仅通过刻蚀的工艺，使用标准器件制造设备即可实现，为制备适用于微机电系统（MEMS）的 β-Ga₂O₃ /空气间隙结构提供了一种简便途径。

原文链接：

https://doi.org/10.35848/1882-0786/ae1e5