【会员新闻】亮相APCSCRM 2025国际会议：晶升电子科技的技术成果与氧化镓相关产品一览

        山东晶升电子科技有限公司是一家半导体装备研发和生产的国家级高新技术企业。企业已顺利申请下2019年知识产权贯标，济南市科技型中小企，2021被评为国家级高新技术企业，2022年通过GB/T90012016质量管理体系认证。2023年成为中国电子材料行业协会新成员。2024年被评为山东省专精特新企业同年被评为山东省瞪羚企业。

        主要产品为第三代、第四代半导体高端装备以及各种晶体生长装备，广泛应用于集成电路功率器件、半导体材料、太阳能电池、LED芯片制造、新能源等多个领域。晶升电子注重技术创新，拥有多项自主知识产权，致力于为客户提供高质量的产品和解决方案。公司秉承“诚信、创新、合作、共赢”的经营理念，持续提升核心竞争力，推动行业技术进步。

主营产品

★ PVT晶体生长炉

        1.适用于6/8/12英寸，导电/高纯半绝缘型SIC晶体生长。

        2.适用于长时间、高质量、规模型晶体生长。

        3.拥有高精度的控温、控压能力、工艺性能优良、设备一致性好，具有丰富的量产经验。

        4.可选恒功率、恒电流、恒温工作模式。

        5.一键智能启动、减少人工干预、利于规模化生产。

        6.紧凑立体化的整机设计、方便布局、提高厂房利用率。

        7.采用高精度蝶阀和质量流量计控制炉内长晶压力，提供稳定的长晶气氛。尤其在晶体生长压力下最高可达到土1Pa的控压精度。

★ HVPE晶体炉（氧化镓）

        1.高生长速率、低缺陷密度。

        2.横向纵向生长比率高、孔洞少，可以生长大面积厚膜。

        3.单晶生长速率:≥100微米/小时。

        4.产品尺寸:2/4/6英寸。

★ HVPE气相外延炉（氧化镓）

        1.高生长速率、低缺陷密度。

        2.横向纵向生长比率高、孔洞少，可以生长大面积厚膜。

        3.外延速率:≥20微米/小时。

        4.氧化镓同质外延厚度:>10微米。

        5.外延片尺寸:2/4/6英寸。

★ 电阻晶体炉

        1.结构紧凑、可采用并排布局，提高厂房利用率。

        2.可兼容电阻或感应加热热场。

        3.可配备多个加热器独力控制，工艺调试窗口大，便于同时控制轴向和径向温度梯度。

        4.底部水冷坩埚轴带有中空测温孔、顶、底、侧均可配红外测温，便于温场监控和工艺调试。

        5.可选恒功率、恒电流、恒温工作模式。

        6.满足6-8寸半绝缘/导电晶体生长需求。

★ 导模法晶体炉

        1.晶体生长炉，可实现EFG导模提拉法生长超宽禁带单晶半导体材料。采用高频加热方式，通过特殊的热场结构设计，可实现EFG导模提拉法生长超宽禁带单晶半导体材料。

        2.设备可对应2-6英寸单晶材料的生长需求，同时可满足用户定制化的需求设计。

★ 籽晶粘接设备

        产品用途:

        设备可用于SiC、GaN和ALN生长前籽晶粘接、也可用于上述晶体机植加工中脑楼。

        产品特点:

        1.粘贴的籽晶可在2300℃高温下保持不脱落。

        2.100%粘接无气泡。

        3.平整度高。

        4.晶片表面整洁，无杂质吸附

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