【国内论文】西安邮电大学陈海峰教授团队：基于SiO₂衬底的超薄β-Ga₂O₃ MOSFET特性

        由西安邮电大学电子工程学院新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队在学术期刊《半导体技术》发布了一篇名为基于SiO₂衬底的超薄β-Ga₂O₃ MOSFET特性的文章。

        基于超宽禁带 β-Ga₂O₃ 的 MOSFET 在功率驱动电路领域具有重要的应用潜力。研究了 SiO₂ 衬底上的超薄 β-Ga₂O₃ MOSFET 的特性。通过采用不同工艺参数制备不同结构的 MOSFET，研究薄膜厚度（60、120、180 nm）、退火温度（700、800、900 ℃）、源漏电极间距（30、35、40 μm）、栅源电极间距（5、10、15 μm）等关键工艺与结构参数对器件性能的影响。结果表明：薄膜厚度和退火温度显著影响器件的阈值电压，考虑阈值电压和饱和电流等因素，120 nm 厚的薄膜制备的器件性能最好；受亚阈值摆幅及阈值电压的限制，退火温度为 900 ℃ 时器件性能最优；源漏和栅源电极间距直接调制器件的导通电阻与饱和电流，源漏电极间距为 35 μm 和栅源电极间距为 10 μm 的器件综合性能最佳。本研究为β-Ga₂O₃基MOSFET 的发展提供了参考。

原文链接：

https://kns.cnki.net/kcms2/article/abstract?v=4J3GFaKSuTOZM1NfFR-AOBCY_u8NkWSYjMnSfaRPutzrZhlntPfkPkxOtQstqT9tmbYGhF08WKgr_-B9qtn-o1RIx-dseZVoTIFI6h452rVVSrXLicdA63wNR6g9mP8EgExER8I4cFHXthxpUrrVOZog0b3tqdATI4YfjYIELkP3EGyZgdmD4w==&uniplatform=NZKPT&language=CHS