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【标准动态】定标未来!镓仁半导体牵头两项氧化镓团体标准正式发布!

日期:2025-12-23阅读:96

        近日,由杭州镓仁半导体有限公司牵头的《β相氧化镓同质外延片》(T/CEMIA 050-2025)与《氧化镓单晶位错密度测试方法》(T/CEMIA 051-2025)两项团体标准,经中国电子材料行业协会批准正式发布,将于2026 年1月1日起全面实施。这是我国在第四代半导体材料领域标准化建设的重大突破,标志着氧化镓产业从技术研发向规模化应用迈出关键一步。

        《β相氧化镓同质外延片》(T/CEMIA 050-2025)的牵头单位为杭州镓仁半导体有限公司。其它参编单位有中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学技术大学、中国电子科技集团公司第十三研究所、西安电子科技大学、南京大学、中山大学、甬江实验室、浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心、杭州富加镓业科技有限公司、进化半导体有限公司、深圳平湖实验室、华润微电子有限公司、NEXTGO EPI UG、电子科技大学、安徽大学、厦门大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、镓创未来半导体科技(晋江)有限公司、大连理工大学、中国科学院东莞材料科学与技术研究院、湖北九峰山实验室、杭州芯创德半导体有限公司、西南大学、香港科技大学。

        《氧化镓单晶位错密度测试方法》(T/CEMIA 051-2025)的牵头单位为杭州镓仁半导体有限公司。其它参编单位有中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学技术大学、中国电子科技集团公司第十三研究所、西安电子科技大学、南京大学、中山大学、甬江实验室、浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心、杭州富加镓业科技有限公司、进化半导体有限公司、深圳平湖实验室、华润微电子有限公司、NEXTGO EPI UG、电子科技大学、安徽大学、厦门大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、镓创未来半导体科技(晋江)有限公司、大连理工大学、中国科学院东莞材料科学与技术研究院、湖北九峰山实验室、杭州芯创德半导体有限公司、西南大学、香港科技大学。

        这两项由中国电子材料行业协会发布的氧化镓领域团体标准,将为β相氧化镓同质外延片的质量管控与氧化镓单晶位错密度的统一测试提供依据。标准的落地将推动氧化镓从实验室走向规模化生产,为我国在超宽禁带半导体赛道建立技术与产业优势奠定基础,助力实现 “超宽禁带半导体之王” 的产业化价值释放,支撑国家新能源与高端制造战略。

        注:以上文章来源于半导体材料行业分会,作者半导体材料行业分会。

        原文链接为《β相氧化镓同质外延片》和《氧化镓单晶位错密度测试方法》将于2026年1月1日正式实施

 

关于镓仁

        杭州镓仁半导体有限公司是全球领先的氧化镓材料与设备解决方案提供商,专注于超宽禁带半导体领域的技术研发与产业化落地。公司核心产品主要包括:2-8英寸氧化镓单晶与衬底(其中8英寸为国际首发)、氧化镓垂直布里奇曼法(VB法)长晶设备、氧化镓外延片等,均已全面开放销售。

2-8英寸氧化镓单晶与衬底

(其中8英寸为国际首发)

“SCIENCE系列”

科研级VB法长晶设备

氧化镓同质外延片

        镓仁半导体致力于构建 “设备-晶体-衬底-外延” 全链条产品体系,为全球客户提供系统性解决方案。公司在氧化镓领域的相关成果获得人民日报、新华社、科技日报、新浪财经、中国蓝新闻、澎湃新闻等知名媒体专题报道

        企业荣誉汇总:2023年获评国家级科技型中小企业、浙江省创新型中小企业;2024年获评浙江省专精特新中小企业;2025年获SEMICON CHINA “SEMI可持续发展杰出贡献奖”、九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会“聚力同行奖”、浙江省半导体行业“创新活力奖”、第十届“创客中国”浙江省总决赛企业组二等奖、第十届“创客中国”中小企业创新创业大赛全国企业组 500 强、“2024-2025年度半导体材料行业贡献奖”;“8英寸氧化镓单晶及衬底制备实现重大突破”成果入选“2025 年度中国第三代半导体技术十大进展”及浙江省科技厅“2025年度重大科技成果”;在氧化镓领域牵头了2项团体标准草案的制定、参与起草了1项国家标准制定、参与推动了1项团体标准草案的制定;获得浙江省杭州市萧山区“5213”卓越类计划支持;获得国际国内发明专利授权13项(含美、日等多国专利),申请专利50余项。