【其他论文】β-Ga₂O₃ 的电子结构、力学性质和德拜温度的第一性原理研究 

        由百色学院材料科学与工程学院的研究团队在学术期刊《材料导报》发布了一篇名为《β-Ga₂O₃的电子结构、力学性质和德拜温度的第一性原理研究》的文章。

摘要

        采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法，利用CASTEP软件计算了 β-Ga₂O₃ 的电子结构、力学性质和德拜温度。计算结果表明：几何优化后的晶格常数与实验数据基本一致。β-Ga₂O₃ 的能隙宽度为 5.012 eV，属于p型半导体；导带底部的电子有效质量为 0.361m₀，价带顶部空穴有效质量分别为 10.215m₀ 和 25.919m₀。费米面的态密度不为零，其值约为4.8 electrons/eV，主要由 O-2p 轨道电子构成。Ga-O 原子之间存在离子键和共价键，而O-O原子之间存在共价键。β-Ga₂O₃ 的弹性常数，体积模量和杨氏模量存在各向异性；体积模量，剪切模量，杨氏模量，泊松比和通用各向异性指数分别为74.28 GPa，151.98 GPa，187.61 GPa，0.29和0.84。β-Ga₂O₃ 的德拜温度为531.821 K。

原文链接：

https://kns.cnki.net/kcms2/article/abstract?v=lqoStndJ5wEeWOgpez11jRYSjwP6uP8QjtVKUhUnk4ymN6ka-qz5t6s7N1AauM10ae3EO1RYOEhAyG7uACi5cIik97XzEVkwg3SV8yT4z_H6ZANlAlUKhZfPGbauXjCc_kHGa7wtwX5B6NbCYELLQLOzPlMU_b38BUtaYbzLmJxbR33O_wjdzw==&uniplatform=NZKPT&language=CHS