【器件论文】压制封装Ga₂O₃肖特基二极管的热学与结构分析

        由美国纽约州立大学布法罗分校的研究团队在学术会议2025 IEEE Energy Conversion Conference Congress and Exposition (ECCE)发布了一篇名为 Thermal and Structural Analysis of a Press-Pack Ga₂O₃ Schottky Diode（压制封装 Ga₂O₃ 肖特基二极管的热学与结构分析）的文章。

摘要

        氧化镓（Ga₂O₃）是一种超宽禁带材料，在功率电子领域具有替代碳化硅（SiC）的潜力。然而，其较低的热导率限制了大规模应用，传统散热技术难以有效冷却 Ga₂O₃ 器件。双面散热是一种能够显著降低器件温度的高效技术。压装（Press-Pack）封装通过机械压力实现电接触，并天然适用于双面散热。在本文中，设计了一种用于冷却 Ga₂O₃ 肖特基二极管的压装封装。利用 Ansys Icepak 和 Mechanical 进行了有限元分析（FEA）仿真，以评估其热性能和结构性能。研究中测试了多种设计方案、热损耗情况及散热技术，为 Ga₂O₃ 器件的高效散热提供了可行解决方案。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/ECCE58356.2025.11260395