【器件论文】具有铜触点的高性能 p-Cu₂O/n-β-Ga₂O₃ 异质结势垒肖特基二极管

        由鹏城实验室联合南方科技大学等研究团队在学术期刊 Nanomaterials 发布了一篇名为High-Performance p-Cu₂O/n-β-Ga₂O₃ Heterojunction Barrier Schottky Diodes with Copper Contact（具有铜触点的高性能 p-Cu₂O/n-β-Ga₂O₃ 异质结势垒肖特基二极管）的文章。

摘要

        本研究展示了采用铜作为低功函数阳极金属，制备高性能 p 型 Cu₂O/n 型 β-Ga₂O₃ 异质结障壁肖特基（JBS）二极管的方法。通过将 Cu₂O 间距优化至 4 μm，器件实现 0.78 V 导通电压、1700 V 击穿电压及 5.91 mΩ·cm² 的导通电阻率，功率优值达 0.49 GW/cm²。该 JBS 二极管在 300–425 K 温度范围内展现出稳定的电学特性。经 200 V 反向应力 5000 秒测试，其导通电压仅衰减 4.16 %，动态单位导通电阻变化仅增加 1.15 倍，彰显出优异的抗应力退化性能。这些结果表明，Cu₂O/Ga₂O₃ JBS 二极管有望成为下一代高效高压电力电子应用的理想候选器件。

原文链接：

https://doi.org/10.3390/nano15241840