【会员新闻】镓仁半导体2025年圆满收官：成功实现VB法8英寸氧化镓单晶生长

        2025年12月，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)成功实现垂直布里奇曼法(VB法)8英寸氧化镓单晶生长，8英寸等径长度可达20mm。这一成果的落地，不仅为2025年的工作划上圆满句号，更印证了公司在氧化镓领域的核心竞争力：作为全球首个实现多技术路线、多晶面8英寸氧化镓单晶制备的领先厂商，镓仁半导体凭借一系列原创性技术突破，确立了在全球氧化镓材料领域的行业引领地位。

图1 镓仁半导体VB法8英寸氧化镓晶锭

        2025年3月，镓仁半导体采用自主研发的铸造法制备出全球首颗8英寸氧化镓单晶并加工出相应尺寸单晶衬底，展示了在材料尺寸突破方面的技术能力。这一成果标志着镓仁半导体成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业，刷新了氧化镓单晶尺寸的全球纪录。镓仁半导体也凭借着这项举世瞩目的成果获得了 “2025 年度中国第三代半导体技术十大进展”、“浙江省科技厅2025年度重大科技成果”、“2024-2025年度半导体材料行业贡献奖”等一系列重要奖项，成为氧化镓领域的领先厂商。

        回望全年，镓仁半导体的突破并非一蹴而就。公司的技术发展，沿着一条清晰而扎实的路径演进。

        VB法因在成本控制与规模化生产方面的潜力，被视为氧化镓产业化的重要方向之一。

        本次VB法8英寸晶体的成功制备，是技术路径上的又一实质性进展，也使公司具备不同晶面8英寸单晶技术能力。镓仁半导体在2025年一年之内，实现了VB法氧化镓单晶尺寸从4英寸到6英寸直至8英寸的多次突破，既是镓仁半导体技术能力与研发积淀的综合体现，也是按照既定战略规划稳扎稳打后的厚积薄发。

        目前，镓仁半导体已在全球范围内率先实现多技术路线、多晶面的8英寸氧化镓单晶制备，成为该领域的领先厂商。

        未来，镓仁半导体氧化镓材料的发展重点将逐步转向晶体质量提升、成本优化及下游器件验证等产业化环节。接下来，镓仁半导体计划与下游器件厂商开展联合评估，以推动材料在实际应用中的性能验证，协同推进国内氧化镓行业快速发展。

        杭州镓仁半导体有限公司是全球领先的氧化镓材料与设备解决方案提供商，专注于超宽禁带半导体领域的技术研发与产业化落地。公司核心产品包括：2-8英寸氧化镓单晶与衬底（其中8英寸为国际首发）、氧化镓垂直布里奇曼法（VB法）长晶设备、氧化镓外延片等，致力于构建 “设备-晶体-衬底-外延” 全链条产品体系，为全球客户提供系统性解决方案。公司在氧化镓领域的相关成果获得人民日报、新华社、科技日报、新浪财经、中国蓝新闻、澎湃新闻等知名媒体专题报道。

        企业荣誉汇总：2023年获评国家级科技型中小企业、浙江省创新型中小企业；2024年获评浙江省专精特新中小企业；2025年获SEMICON CHINA “SEMI可持续发展杰出贡献奖”、九峰山论坛（JFSC）暨化合物半导体产业博览会“聚力同行奖”、浙江省半导体行业“创新活力奖”、第十届“创客中国”浙江省总决赛企业组二等奖、第十届“创客中国”中小企业创新创业大赛全国企业组 500 强、“2024-2025年度半导体材料行业贡献奖”；“8英寸氧化镓单晶及衬底制备实现重大突破”成果入选“2025 年度中国第三代半导体技术十大进展”及浙江省科技厅“2025年度重大科技成果”；在氧化镓领域牵头了2项团体标准草案的制定、参与起草了1项国家标准制定、参与推动了1项团体标准草案的制定；获得浙江省杭州市萧山区“5213”卓越类计划支持，获批建立浙江省企业研究院；取得了质量管理体系认证证书；获得国际国内发明专利授权13项（含美、日等多国专利），申请中专利50余项。

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