【器件论文】Mg 掺杂 β-Ga₂O₃ 薄膜用于日盲紫外光探测器

        由电子科技大学的研究团队在学术期刊 Applied Surface Science 发布了一篇名为 Mg-doped β-Ga₂O₃ thin films for solar-blind ultraviolet photodetector（Mg 掺杂 β-Ga₂O₃ 薄膜用于日盲紫外光探测器）的文章。

摘要

        β-氧化镓（β-Ga₂O₃）因其适宜的带隙特性，成为日盲光探测器领域的潜力材料。然而氧空位的存在常导致高暗电流与陷阱态，限制了器件性能。本研究采用分子束外延（MBE）技术生长了不同镁浓度的镁掺杂 β-Ga₂O₃[(MgGa)₂O₃] 薄膜，并在其上制备了金属-半导体-金属（MSM）结构光电探测器。其中 Mg 浓度为 7.8 原子百分比的器件表现最佳，实现光暗电流比达 1.3 × 10⁷，比探测率达 2.1 × 10¹⁵ Jones，且具有 22.9 ms 的快速上升时间和 2.9 ms 的衰减时间。此外，观察到超线性光响应现象，该现象通过复合中心模型得到解释。这些结果表明 (MgGa)₂O₃ 薄膜在高性能日盲光探测器领域具有巨大应用潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2025.165700