【器件论文】基于n型Ga₂O₃/i型AlN/p型GaN异质结的双向蓝紫色发光二极管

        由河南科技大学的研究团队在学术期刊 Optics & Laser Technology 发布了一篇名为Bidirectional blue-violet light-emitting diode based on n-Ga₂O₃/i-AlN/p-GaN heterojunction（基于n型Ga₂O₃/i型AlN/p型GaN异质结的双向蓝紫色发光二极管）的文章。

摘要

        通过射频磁控溅射在不同沉积温度下制备了氧化镓（Ga₂O₃）薄膜，并系统分析了薄膜的物理性能。在优化工艺条件下，制备了 n-Ga₂O₃/i-AlN/p-GaN 异质结发光二极管（LED）。器件在不同温度下表现出良好的整流特性，开启电压约为 2.3 V。此外，对器件的电致发光（EL）特性进行了系统研究，结果显示其具有典型的双向电致发光行为：在正向偏置下，样品发射 425 nm 的紫光和 433 nm 的蓝光；在反向偏置下，样品发射 378 nm 的紫外光和 422 nm 的紫光。通过温控平台观察器件 EL 随温度的变化，结果显示该 LED 具有最高可达 80 ℃ 的颜色稳定性和良好的温度稳定性。最后，结合能带图与发光谱的高斯峰拟合，对二极管的发光机制进行了分析。本工作为特殊光发射半导体器件的开发提供了一种新思路。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2025.114341