【器件论文】通过双层 p-GaN 结构设计提升 β-Ga₂O₃ 异质结二极管性能

        由越南维新大学的研究团队在学术期刊 Materials Science and Engineering: B 发布了一篇名为Enhanced performance in β-Ga₂O₃ heterojunction diode through double-layer p-GaN design（通过双层p-GaN结构设计提升 β-Ga₂O₃ 异质结二极管性能）的文章。

摘要

        研究团队提出一种有效设计方案，通过引入双层 p-GaN 结构，同时提升 p-GaN/n-Ga₂O₃ 异质结二极管的电场分布与击穿电压。该设计实现 1094 V击穿电压与 66.0 mΩ·cm² 的单位导通电阻，获得 18.1 MW/cm² 的巴利加优值 (BFOM)。相较于单层结构，双层结构在保持二极管开关速度的同时，将击穿电压提升 1.5 倍。两种器件结构均呈现相似的反向恢复特性，峰值反向恢复电流为 10.9 A，恢复时间为 69 ns。进一步分析了双层 p-GaN 结构中层厚与掺杂浓度的影响，证明精确的参数优化对最大化击穿电压至关重要，可显著提升器件在高功率应用中的潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.mseb.2025.119158