【器件论文】击穿区具有外延漂移层的 E-Mode β-Ga₂O₃ MOSFET 中的 SEU 效应

        由美国阿肯色大学的研究团队在学术会议2025 IEEE 12th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA)发布了一篇名为SEU Effect in E-Mode β-Ga₂О₃ MOSFET with Epitaxial Drift Layer at the Breakdown Region（击穿区具有外延漂移层的 E-Mode β-Ga₂О₃ MOSFET 中的 SEU 效应）的文章。

摘要

        过去十年间，氧化镓（Ga₂О₃）在技术领域取得显著进展，已成为超宽带隙半导体技术的领跑者。其卓越的固有材料特性，包括临界电场强度、可大幅调节的导电性、高迁移率以及可扩展的熔融基体生长能力，使其特别适用于电力电子应用。其核心应用领域在于电力电子，Ga₂О₃ 有望以经济可行的成本实现顶级性能表现。增强型 Ga₂О₃ 金属氧化物半导体场效应晶体管（E-MOSFET）已在常规条件下展现出稳定的直流输出特性。该稳定性通过在 MOS 栅下集成低掺杂体层实现，该层促进常闭工作模式，而外延漂移层则决定导通电阻与击穿电压。研究深入探讨了掺杂浓度与漂移沟道层厚度对器件特性的影响，旨在设计出能承受 680 V 击穿电压的器件。本研究聚焦 Ga₂О₃ E-MOSFET 在击穿区域附近的单事件翻转（SEU）现象，分析涵盖两种事件类型：正常入射 SEU 与斜向入射 SEU。该分析所得见解对提升电力电子电路仿真精度具有重要潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/WiPDA63755.2025.11303428