【器件论文】基于超薄非晶态 Ga₂O₃ 垂直结反向二极管的桥式整流器及其混合降压系统

        由西安邮电大学的研究团队在学术期刊 Journal of Semiconductors 发布了一篇名为Ultrathin amorphous-Ga₂O₃ vertical SBD-based bridge rectifier and its hybrid buck system（基于超薄非晶态 Ga₂O₃ 垂直结反向二极管的桥式整流器及其混合降压系统）的文章。

摘要

        本文展示了一种基于 200 nm 超薄非晶态 Ga₂O₃ 垂直肖特基二极管（SBD）的单片集成桥式整流器及其与 Si-MOSFET 组成的混合降压转换系统。制备的垂直 Ga₂O₃ SBD 具有优异特性，击穿电场强度高达 1.35 MV/cm。该桥式整流器电路在 50 kHz 高频下仍能保持稳定运行。该混合降压系统由 Ga₂O₃ 桥式整流器与 Si-MOSFET 组成，在 Si-MOSFET 20kHz 开关频率和 50 Hz 输入电压条件下，可实现可调降压输出电压。本研究验证了 Ga₂O₃ 整流器在高频转换系统中的实际应用价值。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1674-4926/25100008