【器件论文】Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管动态阻抗特性实验研究

      由浙江大学的研究团队在学术会议2025 22nd China International Forum on Solid State Lighting & 2025 11th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS)发布了一篇名为Experimental Study on Dynamic Resistance Characteristics of Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes（Ga₂O₃肖特基势垒二极管动态阻抗特性实验研究）的文章。

摘要

      本研究系统考察了氧化镓（Ga₂O₃）肖特基势垒二极管（SBD）在由阻断状态切换至不同正向导通条件过程中的导通电阻特性。为实现高保真度的动态电阻表征，构建了一种包含有源钳位电路的脉冲测试系统。该系统的核心是在被测器件（DUT）并联接入一只 SiC 肖特基势垒二极管，从而在器件由反向阻断快速切换至正向导通时，实现精确的电压采样。该方法能够准确测量器件切换瞬间的导通态电压。基于该测试平台，在阻断电压为 50–400 V、负载电流为 2–5 A 的条件下，对 Ga₂O₃ SBD 的动态导通电阻进行了系统表征。实验结果表明，所研究的 Ga₂O₃ SBD 并未出现明显的动态导通电阻（R_on）退化现象。本研究为深入理解 Ga₂O₃ 肖特基二极管的器件特性提供了关键的实验数据支撑。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/SSLCHINAIFWS69008.2025.11314929