【联盟新闻】2025中国氧化镓产业 协同聚力实现全面跃升

引言

        2025 年，国内氧化镓产业在持续积累中稳步推进。从材料制备到器件探索，从科研攻关到产业协同，相关进展在不同层面陆续展开。依托联盟平台对行业动态的长期关注与信息汇集，可以观察到，以联盟会员单位为主体的多方力量，正在各自赛道上有序发力，推动国内产业体系不断夯实。

        本篇内容基于联盟已发布与持续跟踪的行业信息，对国内氧化镓产业相关进展进行阶段性梳理与观察。通过对企业布局、技术推进与合作动向的汇总呈现，勾勒出当前国内氧化镓产业在协同发展中的整体轮廓，展现其逐步成形的产业节奏与发展潜力。（以下新闻以理事-会员单位加入联盟顺序排序）

 

杭州富加镓业：加速领跑氧化镓全链条产业化新征程

        2025年2月，富加镓业实现 4 英寸 VB 法氧化镓单晶稳定生长，衬底质量达到国际先进水平，并同步推出自主 VB 生长装备与工艺包，推动氧化镓晶体制备向工程化应用迈进。

        2025年5月，富加镓业完成氧化镓 EFG 法“一键长晶”设备现场验收并下线，推动氧化镓单晶生长从工艺突破向自动化与工程化应用延伸。

        2025年9月，富加镓业在氧化镓晶体生长领域取得重大突破——利用垂直布里奇曼法（VB法）在国内首次成功制备出6英寸氧化镓单晶晶锭，晶体等径高度达30mm，为功率器件所需导电性材料，可满足完整6英寸氧化镓导电型衬底的加工需求。相关晶体尺寸与装备能力实现阶段性扩展。

        2025年10月，基于富加镓业 MOCVD 氧化镓外延片，福州大学实现国际领先性能的垂直型功率肖特基二极管；同时，富加镓业在氧化镓 MOCVD 同质外延方面取得新进展，经权威机构测试，其厚膜外延片迁移率达到 181.6 cm²/V·s，相关 6 英寸外延片已进入器件流片阶段。富加镓业将为下游科研与产业用户提供高质量氧化镓外延片产品，助力我国高性能氧化镓功率器件的全产业链贯通。

        同样在10月，富加镓业正式推出新型（011）晶面氧化镓衬底产品，涵盖小片及2英寸标准规格，并全面开放 4 英寸衬底与2-4英寸外延片定制服务，丰富了公司氧化镓衬底及外延产品体系，为高压功率器件等高端应用提供关键材料解决方案。

        2025年11月，富加镓业与德国外延企业 NextGO Epi 正式达成全球战略合作。此次合作结合了富加镓业在氧化镓晶体与全链条制造方面的积累，以及 NextGO Epi 在高质量外延材料领域的技术优势，体现出中欧在氧化镓材料与产业环节上的协同趋势。

        同样在11月，在 APCSCRM 2025 大会上，富加镓业发布 6 英寸氧化镓垂直型 SBD 晶圆，该晶圆基于公司自主研发的高迁移率同质氧化镓外延片完成流片，标志着氧化镓在材料、外延与器件层面的协同能力进一步落地，也体现出氧化镓正逐步进入面向规模化器件验证的阶段。

 

        2025年12月 ，中国科学院上海光机所联合杭州富加镓业，在国际上首次采用垂直布里奇曼法（VB 法）制备出 8 英寸氧化镓晶体，刷新国际 VB 法氧化镓晶体尺寸纪录。此次成果标志着氧化镓晶体在尺寸与制备工艺上的持续突破，为高压功率器件和大规模产业化应用奠定了基础。

        2025 年，富加镓业在氧化镓产业链下游持续发力，实现了从外延材料到器件应用的多项关键突破。公司成功推出高迁移率 MOCVD 同质外延片，并基于此完成垂直型功率肖特基二极管的国际领先性能验证；同时，6 英寸及 8 英寸 VB 法氧化镓单晶晶体的制备，为器件规模化流片提供了可靠支撑。通过与下游科研机构及产业伙伴的协同合作，以及国际战略合作的拓展，富加镓业加速了氧化镓材料在功率电子器件中的工程化应用，稳固了其在产业链应用端的领先地位。

 

苏州镓和半导体：全产业链布局与产业化落地

        2025年1月，苏州镓和半导体有限公司在苏州工业园区新盛里正式开业。开业仪式上，公司展示了其在氧化镓单晶衬底、外延晶片、高灵敏日盲紫外探测器件、大功率电力电子器件及晶体生长专用设备设计制造等方面的技术与产能实力，并签署多项产业链合作协议，彰显其在氧化镓产业布局中的领先地位。

        会上，苏州镓和半导体正式发布6英寸氧化镓衬底、日盲紫外焦平面成像芯片以及电晕放电实时监测设备等关键产品和设备，标志着公司在氧化镓材料与器件产业化方面迈出了重要一步。新产品具备高品质大尺寸衬底、定制化外延及应用端器件能力，为高功率半导体器件及高灵敏紫外探测应用提供了坚实支撑，同时体现了公司推动氧化镓全产业链落地的工程化实践能力。

        2025年12月，苏州镓和半导体有限公司被列入江苏省首批高新技术企业备案公示，正式获得全国高新技术企业认定，彰显公司在氧化镓技术研发和产业化领域的创新实力与行业影响力。

        2025年，苏州镓和半导体完成开业落地、6英寸氧化镓衬底及核心器件发布，并获高新技术企业认定，显示公司正从实验室研究向全产业链工程化落地加速推进，在氧化镓领域确立了稳固的竞争基础。

 

杭州镓仁半导体：引领氧化镓单晶与外延技术新高度

        2025年3月，镓仁半导体成功制备全球首颗8英寸氧化镓单晶，并可加工相应晶圆衬底，实现了氧化镓单晶尺寸的年度升级纪录。这一突破不仅推动中国氧化镓产业进入8英寸时代，也为产业化应用、生产效率提升和全球竞争优势奠定了基础。

        2025年5月，镓仁半导体与德国 NextGO.Epi 签署全球战略合作协议，双方将依托技术优势协同攻关，聚焦超宽禁带半导体材料氧化镓的研发与产业化。共同推动氧化镓在新能源、电力电子等领域的应用突破，为全球半导体产业注入新动能。

        2025年6月，镓仁半导体在氧化镓大尺寸晶体生长与衬底加工上取得突破，利用自主研发的VB法设备成功制备出100毫米(010)氧化镓单晶衬底。经表征测试，衬底无孪晶，XRD半高宽小于50 arcsec，表面粗糙度小于0.1 nm，质量达到国际先进水平，实现了该尺寸氧化镓衬底的国际首次报道。

        2025年9月，镓仁半导体在外延技术上取得了重大突破，成功实现了高质量6英寸氧化镓同质外延生长。这一突破，在镓仁半导体发展过程中具有里程碑意义。

        2025年10月，镓仁半导体在晶体生长技术上再次取得了突破性成果，基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备，采用垂直布里奇曼法（VB法）成功实现了6英寸（010）面氧化镓晶体生长，且等径段长度超过40mm，达到国际领先水平。

        2025年11月，镓仁半导体推出（011）晶面氧化镓衬底片新品，为高功率器件研发提供核心支撑。该衬底片尺寸精确，晶体取向稳定，XRD半高宽仅32.1 arc sec，峰位接近理论值，表面超光滑（Ra<0.5 nm），偏差控制在±1°以内，并提供多种掺杂和载流子浓度选项，满足多样化器件设计需求。

        2025年12月，镓仁半导体有限公司正式推出新品——“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备，专为2-6英寸氧化镓科研场景量身打造，以全自主核心技术助力科研工作者在长晶、掺杂、缺陷控制及材料性能优化等领域高效探索。

 

        同样在12月，镓仁半导体成功实现垂直布里奇曼法(VB法)8英寸氧化镓单晶生长，8英寸等径长度可达20mm。作为全球首个实现多技术路线、多晶面8英寸氧化镓单晶制备的领先厂商，镓仁半导体凭借一系列原创性技术突破，确立了在全球氧化镓材料领域的行业引领地位。

        2025 年，镓仁半导体在氧化镓单晶与外延技术上取得一系列突破性进展，实现了从 100 mm 衬底到 8 英寸单晶的持续升级，标志着公司在晶体生长、衬底加工及外延制备领域的技术实力稳步攀升。同时，公司推出多款高性能衬底片和科研级长晶设备，支撑高功率器件研发和科研探索，并通过全球战略合作，推动氧化镓材料在新能源、电力电子等领域的应用。全年成果凸显了镓仁半导体在全球氧化镓产业中的技术领先与产业引领地位。

 

福建晶旭半导体：持续推进氧化镓高频滤波芯片生产线落地

        2025年6月，福建晶旭半导体二期项目正在加速建设，将建成全球首条氧化镓压电薄膜高频滤波芯片生产线，年产400kk，填补国内空白并推动地方新材料产业发展。

        2025年7月，此条氧化镓压电薄膜高频滤波芯片生产线有序推进，项目主体建筑已全部封顶。

        2025年9月，晶旭半导体凭借完全自主知识产权的核心技术优势再度上榜，连续三年获评“福建省数字经济核心产业瞪羚创新企业”。

        2025年，福建晶旭半导体凭借自主核心技术和创新能力，稳固了其在全球氧化镓压电薄膜领域的领先地位。企业不仅在关键材料和核心器件上形成了完整竞争力，也成为国内超宽禁带半导体产业链的重要支撑力量。凭借技术积累与产业化能力，晶旭在推动5G及高频功率电子器件发展的同时，进一步确立了在国际前沿材料领域的战略地位。

 

广州拓诺稀科技：首个生产厂房在南沙启用，赋能湾区半导体材料产业集群

        2025年5月，拓诺稀科技实现了从实验室到产业化的关键跨越，其位于广州南沙的首个先进生产厂房正式投入使用，具备批量化氧化镓外延制备能力。作为全球唯一稳定实现p型导电氧化镓外延的企业，拓诺稀不仅填补了材料体系长期空白，也为构建氧化镓双极型器件提供了基础，极大拓展了其在新能源汽车、工业机器人及高压电力电子等领域的应用潜力，同时奠定了本土化第四代半导体产业化的重要技术平台。

 

山东晶升电子科技：扩建厂房正式运营 开启发展新篇章

        2025年11月，山东晶升电子科技有限公司扩建新厂房正式投入运营，为氧化镓及其他第三、第四代半导体材料相关高端装备生产按下“加速键”。新基地配备先进设备与智能化管理系统，优化生产流程，将显著提升产能与效率。此次扩建不仅巩固了公司在高端半导体装备领域的技术与市场地位，也为氧化镓材料应用推广、产业链完善及地方经济发展提供了坚实支撑。

 

深圳平湖实验室：自主设计超宽禁带半导体材料和器件综合表征系统填补领域空白

        2025年5月，深圳平湖实验室建立了完整的材料生长、器件制备、理论模拟和性能测试体系，并自主研发了国内首台多功能超宽禁带材料与万伏大功率器件综合表征系统，填补行业空白。该系统可在高温、高压及偏压条件下精确测量氧化镓等半导体材料及相关器件的光学、电学参数，为高压功率电子、智能电网、新能源及航空航天等领域的研发提供核心技术支撑，彰显实验室在氧化镓及超宽带隙半导体前沿技术的前瞻性布局与科研实力。

 

华芯晶电：导模法突破助力氧化镓单晶研发，并获批山东省工程研究中心

        2025年5月，青岛华芯晶电科技有限公司在氧化镓晶体生长领域取得重要突破，自主知识产权导模法制备的2英寸氧化镓单晶质量达到国际先进水平。通过精确控制温度梯度、杂质分布和生长速率，团队有效解决了孪晶缺陷等关键难题，使晶体位错密度和摇摆曲线指标均达国际领先水平。

        2025年8月，山东省发改委发布2025年新认定山东省工程研究中心名单，青岛华芯晶电科技有限公司牵头申报的“化合物半导体单晶衬底制备技术山东省工程研究中心”成功入选。这一突破性成果，是对华芯晶电在化合物半导体衬底材料研发与制造领域科研实力与创新潜力的高度认可。

 

苏州瑞霏光电：荣获江苏省“专精特新”企业认定

        2025年12月，苏州瑞霏光电荣获江苏省“专精特新”企业认定，持续以光学三维检测技术支撑氧化镓等超宽禁带半导体材料的研发与生产。公司自主研发的晶圆翘曲应力仪、几何形貌测量仪等设备，为晶圆微观形貌、薄膜应力及缺陷识别提供精确支撑，保障材料性能与器件良率。凭借深厚技术积累，瑞霏正为氧化镓产业化和中国高端半导体发展提供核心检测能力。

 

镓创未来：西安电子科技大学团队带头公司正式成立，自主研发HVPE设备与异质外延技术降低外延片成本10倍以上

        2025年7月，镓创未来半导体科技（晋江）有限公司在福建省晋江市正式成立，致力于氧化镓（β-Ga₂O₃）异质外延材料的研发与产业化。

        11月，镓创未来在氧化镓外延材料领域实现战略突破，通过自主研发HVPE设备与异质外延技术，显著降低生产成本、提升材料性能，并解决长期制约产业化的关键技术难题。公司聚焦新能源汽车、高压工业电源及日盲紫外光电探测等高价值应用场景，采取分阶段推广策略，从科研服务到产业化应用逐步拓展市场。这些举措不仅夯实了镓创未来在第四代半导体材料领域的技术基础，也为氧化镓从实验室走向大规模产业化奠定了核心竞争力与产业先机。

 

上海市：布局氧化镓产业，打造超宽禁带半导体创新高地

        2025年1月，上海启动“宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室”筹建计划推进，聚焦氧化镓等战略性超宽禁带材料的基础理论与产业化技术突破。实验室依托上海天岳与上海光机所合作，以大尺寸、低成本、低位错密度材料制备为核心，推动科研成果与产业应用深度融合，旨在打造全球领先的半导体创新高地，培育新质生产力，支撑上海宽禁带半导体产业的高质量发展与国际竞争力提升。

        2025年5月，上海宽禁带与超宽禁带半导体产业创新发展大会在临港新片区举行，标志着上海在超宽禁带半导体领域的系统布局正式启动。大会同步揭牌重点实验室、启动产业集聚区、发布支持政策与产业基金，并成立创新发展联盟，汇聚科研、产业和金融力量，为氧化镓等超宽禁带材料的技术突破与产业化应用奠定坚实基础，推动上海打造全球领先的半导体创新高地。

 

结语

        2025年，中国氧化镓产业呈现出全链条突破与快速推进的格局。材料端，单晶尺寸不断升级，从2英寸、4英寸到6英寸、8英寸，外延片性能持续优化，为高压功率器件和光电应用提供了可靠支撑；器件端，高迁移率外延片与垂直型功率肖特基二极管等成果实现工程化验证，推动实验室研究向产业化落地转化。产业链建设方面，实验室进展、各方产能扩建和战略合作加速了氧化镓材料从实验室走向工程化和规模化的应用。政策、资本与科研力量的协同推动，使氧化镓逐步从潜力材料迈向正式的应用，这标志着中国在超宽带隙半导体领域的技术实力和产业竞争力进一步巩固，氧化镓未来发展前景值得期待。