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【会员新闻】氧化镓产业化再提速：Novel Crystal Technology 完成新一轮融资
日期：2026-02-05阅读：148
株式会社 Novel Crystal Technology（总部：日本埼玉县狭山市，代表取缔役社长：仓又朗人）已以下述基金为引受方（出资方），完成新一轮融资。
新增投资方
・埼玉县涩泽 MIX 创新创造支援基金（运营方：Mirai Door 株式会社）
・饭能信用金库地区未来创造基金（运营方：有限会社地域共彩资本）
本次引入的两支基金，均为以推动埼玉县内新产业与创新创造、激活区域经济以及促进区域产业可持续发展为目标而设立并运营的本地基金。NCT作为一家总部设在埼玉县的材料类初创企业，将进一步加速研发与事业化进程，并通过在县内据点推进人才招聘、设备投资及区域合作等举措，为区域经济的活性化与可持续发展作出贡献。
融资背景及未来规划
通过本次融资所获得的资金以及与投资方建立的合作伙伴关系，NCT将进一步加速 β-Ga₂O₃ 的产业化进程。
具体而言，相关资金将用于提升晶体生长与晶圆制造技术水平，以实现更高品质、更低成本及稳定供应，同时加快产品开发进度。此外，公司还将以埼玉县内据点为核心，深化与当地“产学官金”（产业、学术、政府、金融）各方的合作，致力于实现扎根区域的可持续成长与价值创造。
关于Novel Crystal Technology
株式会社 Novel Crystal Technology 从事新一代功率器件用半导体材料——β 型氧化镓（β-Ga₂O₃）单晶衬底及外延晶圆的研发、制造与销售，并同时开展功率器件的开发。
近年来，作为性能超越硅（Si）的新材料，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）受到了广泛研究关注。β 型氧化镓（β-Ga₂O₃）具有远超上述材料的优异材料物性，并且可通过“熔体法”以较低成本制造高品质单晶衬底。基于这些特点，一旦 β-Ga₂O₃ 功率器件实现实用化，将有望在风力发电、太阳能发电、数据中心以及智能电网等领域，实现功率电子设备的进一步低损耗化与低成本化。因此，围绕该材料的研发正在全球范围内的企业与研究机构中持续加速。
NCT 持续推进 β-Ga₂O₃ 材料及晶圆在高品质化、量产性提升以及成本降低方面的技术开发，并已于近期公布以下研发成果：
〈2025 年 12 月〉
・成功开发无需使用贵金属坩埚的晶体生长方法——“Drop-fed Growth（DG）法”
NCT与万德思诺
万德思诺集团作为NCT在中国地区的指定代理商，全权负责NCT在中国地区的品牌营销、市场推广及售后服务。秉承“引领尖端技术、服务行业客户”的核心理念，以全球领先的尖端技术为引擎，深度定制“材料+设备+工艺”三位一体解决方案，为客户创造不可替代的产业价值。
NCT始终深耕氧化镓这一第四代超宽禁带半导体核心赛道，聚焦氧化镓衬底、外延及器件的全链条研发与生产，以技术创新持续引领行业发展。目前，NCT的全系列氧化镓产品已通过全球多家知名科研机构与行业头部企业的严苛验证并发布相关成果报告，如需了解更多报告详情请登录万德思诺官网（www.wonder-sino.com）的新闻动态板块。
现有相关产品规格介绍如下（新产品规格介绍见上文表格，如需了解最新产品信息，可联系相关销售人员进行咨询）：
未来，NCT公司将继续加大在氧化镓材料领域的研发投入，致力于为全球客户提供更高品质的氧化镓产品。同时，NCT也将与万德思诺携手共进，共同探索氧化镓材料的无限可能，为全球氧化镓产业的创新发展贡献力量。
如需了解更多产品详情，请通过以下联系方式进行咨询！
联系方式：沈先生 13820576818
联系邮箱：st@wonder-sino.com
企业官网：www.wonder-sino.com
