【器件论文】β相氧化镓p型导电研究进展

        由深圳平湖实验室的研究团队在学术期刊 《人工晶体学报》发布了一篇名为 Research Progress on p-Type Conduction of β Phase Gallium Oxide（β相氧化镓p型导电研究进展）的文章。

摘要

       β相氧化镓（β-Ga₂O₃）具有超宽带隙、高击穿电场和容易制备等优势，是功率器件的理想半导体材料。但由于 β-Ga₂O₃ 价带顶能级位置低、能带色散关系平坦，其 p 型掺杂目前仍具有挑战性，限制了 p-n 结及双极性晶体管的开发。利用尺寸效应、缺陷调控、非平衡动力学及固溶提升价带顶能级等方案是目前实现 β-Ga₂O₃ p 型掺杂的主要策略。对于 β-Ga₂O₃ p-n 同质结和异质结，提高晶体质量、减少界面缺陷态是优化器件性能的关键问题。本文针对 β-Ga₂O₃ 的p型导电问题，系统阐述了 β-Ga₂O₃ 电子结构，实验表征及理论计算掺杂能级方法，p型掺杂困难原因，以及改进p型掺杂的突破性研究进展。最后简单介绍了 β-Ga₂O₃ p-n 同质结和异质结器件的相关工作。利用复合缺陷调控、非平衡动力学、固溶等方案，以及不同方案的协同实现体相 β-Ga₂O₃ 的 p 型掺杂仍需要深入探索，p-n 同质及异质结的器件性能需要进一步优化。

原文链接：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2024.0285