【其他论文】氮离子注入 Ga₂O₃ 中的光吸收与发射受动态缺陷退火调控

        由挪威奥斯陆大学的研究团队在学术期刊 Advanced Optical Materials 发布了一篇名为 Optical Absorption and Emission in Nitrogen-Implanted Ga₂O₃ Controlled by Dynamic Defect Annealing（氮离子注入 Ga₂O₃ 中的光吸收与发射受动态缺陷退火调控）的文章。

摘要

        本文系统研究了氮离子注入 Ga₂O₃ 材料的光发射与吸收特性，并揭示其与动态缺陷退火调控的多形稳定性之间的关联。研究表明，由辐照温度决定的动态退火过程显著影响 β-Ga₂O₃ 中的无序积累与相变，进而导致注入材料的吸收与发射特性发生调制。具体而言，室温掺杂会诱导 β 相向 γ 相转变，同时增强特征绿色荧光（GL）带。相反，高温掺杂抑制 γ 相形成，并促进强红色发光（RL）的出现。这些结果可通过 β-γ 相变过程中产生的缺陷与掺入氮原子之间的竞争效应来解释。本研究成果有助于深入理解 Ga₂O₃ 中掺杂剂与缺陷的相互作用，以及其多形体光学特性的调控机制。

原文链接：

https://doi.org/10.1002/adom.202503595