会员新闻
【会员新闻】日本NCT首次实现全球6英寸氧化镓衬底出货，树立产业里程碑
日期：2026-02-27阅读：148
作为氧化镓（β-Ga₂O₃）晶圆领域的龙头企业，株式会社Novel Crystal Technology（总部位于日本埼玉县狭山市，代表取缔役社长：仓又朗人，以下简称“日本NCT”）宣布，将于2026年3月起正式启动面向新一代功率器件应用的150 mm（6英寸）β-Ga₂O₃衬底样品出货。这一举措将大幅推动新一代功率器件的实用化进程。
β-Ga₂O₃ 具有比 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）更宽的带隙能量，是一种能够同时实现高耐压、低损耗与器件小型化的新型半导体材料。其可通过低成本的熔融生长法制备高质量大尺寸衬底，有望显著提升功率器件的耐压能力并降低功率损耗，为铁路、工业设备以及电力系统的高效率运行和器件小型化提供有力支撑。
此前，β-Ga₂O₃ 衬底的商业化供应规模仅限于100 mm（4英寸）尺寸，整体仍处于研发阶段。实现器件规模化量产，必须推进与现有功率器件生产线兼容的150 mm及以上大尺寸化。随着本次150 mm样品的启动供应，相关外延生长技术开发及工艺产线建设将得到加速推进，β-Ga₂O₃功率器件的量产化进程有望显著提速。
150 mm β-Ga2O3衬底
背景与概述：电力需求增长与大尺寸化趋势
当前，工业领域与交通领域的电气化进程不断加快，AI数据中心建设持续升温，全球电力需求呈现持续增长态势。在此背景下，从发电、输电、配电到终端应用的整个电力供应链，对具备“高耐压、大功率”特性的高能效功率器件的需求日益提升。
日本NCT以“2029年实现150 mm β-Ga₂O₃外延晶圆量产”为重要里程碑，持续推进制造成本优化与外延生长技术体系建设。作为实现该目标的关键第一步，日本NCT正式启动150 mm β-Ga₂O₃衬底样品供应。通过本次样品提供，将有力支持企业、高校及科研机构开展基于150 mm β-Ga₂O₃衬底的外延生长技术研发。同时，日本NCT计划于2027年启动150 mm β-Ga₂O₃ 外延晶圆样品出货，并于2029年实现全面量产，以此推动产学界协同，加速新一代功率器件的产业化与社会应用。
产品特点
（1）成熟晶体生长技术支撑的高品质与大尺寸化能力
本次推出的150 mm β-Ga₂O₃衬底采用日本NCT长期积累、并已在100 mm尺寸上实现量产应用的晶体生长技术——EFG法※1制造。依托熔融生长法在规模扩展方面的优势，可实现高质量大尺寸衬底的稳定供应。
（2）满足量产关键条件的150 mm规格
产品规格对标当前多数功率器件生产线采用的150 mm标准尺寸，为未来器件规模化制造提供必要基础，并支撑产业生态体系建设。
（3）为外延生长及工艺开发提供基础平台
通过提前供应高品质单晶衬底，可推动此前尚未充分展开的150 mm条件下外延生长技术研发，以及器件结构优化工作的前置开展，加快整体技术成熟进程。
未来展望：DG法驱动成本突破与量产路线图
在2029年启动的量产阶段，日本NCT将导入创新型晶体生长技术“DG法※2”。该技术无需使用成本高昂的贵金属坩埚，有望显著降低制造成本，实现超越SiC的晶圆价格竞争力，从而为β-Ga₂O₃功率器件的大规模普及奠定决定性基础。
量产路线计划如下：
2027年：计划启动150 mm β-Ga₂O₃外延晶圆样品出货
2029年：计划开始采用DG法的150 mm β-Ga₂O₃外延晶圆全面量产
2035年：计划启动200 mm（8英寸）β-Ga₂O₃衬底供应
日本NCT表示，未来将继续作为β-Ga₂O₃半导体技术领域的领军者，持续推动能源效率提升，为实现可持续社会发展作出贡献。
此外，与本次样品衬底相关的研究成果，将于2026年3月15日至18日在东京科学大学大冈山校区举办的“第73届应用物理学会春季学术讲演会”上发布（报告编号：17p-W9_324-7）。
注解
※1：EFG（Edge-defined Film-fed Growth）法
采用狭缝状部件（模具，Die）将熔体引导上升，并沿模具上表面形状生长单晶的方法。通过调节模具形状，可实现对单晶形貌的精确控制。该技术已在100 mm衬底等产品中实现实际应用，是一种成熟且可靠的晶体生长工艺。
※2：DG（Drop-fed Growth）法
一种无需使用贵金属（如铱）坩埚即可实现单晶生长的新一代单晶生长技术。由于可大幅降低材料成本和设备成本，有望显著推动β-Ga₂O₃衬底价格下降，实现更具竞争力的成本结构。DG法的开发正在作为日本NEDO（国立研究开发法人新能源·产业技术综合开发机构）委托项目的一部分推进。该项目隶属于“经济安全保障重要技术培育计划／高输出·高效率功率器件／高频器件材料技术开发／β-Ga₂O₃晶圆、功率器件及功率模块开发”专项。
NCT与万德思诺
Novel Crystal Technology, Inc. （简称 NCT）是世界上第一家氧化镓衬底、外延及器件的研发及生产型企业。更是集衬底、外延及器件研发和生产于一体的全球氧化镓领域开创者。从氧化镓晶体生长、衬底制作、外延生长一直到器件的研发生产，全部走在世界氧化镓行业最前沿，全力带领氧化镓行业迈向产业化发展之路。
万德思诺集团作为NCT在中国地区的指定代理商，全权负责NCT在中国地区的品牌营销、市场推广及售后服务。秉承“引领尖端技术、服务行业客户”的核心理念，以全球领先的尖端技术为引擎，深度定制“材料+设备+工艺”三位一体解决方案，为客户创造不可替代的产业价值。
NCT始终深耕氧化镓这一第四代超宽禁带半导体核心赛道，聚焦氧化镓衬底、外延及器件的全链条研发与生产，以技术创新持续引领行业发展。目前，NCT的全系列氧化镓产品已通过全球多家知名科研机构与行业头部企业的严苛验证并发布相关成果报告，如需了解更多报告详情请登录万德思诺官网（www.wonder-sino.com）的新闻动态板块。
现有相关产品规格介绍如下（如需了解最新产品信息，可联系相关销售人员进行咨询）：
未来，NCT公司将继续加大在氧化镓材料领域的研发投入，致力于为全球客户提供更高品质的氧化镓产品。同时，NCT也将与万德思诺携手共进，共同探索氧化镓材料的无限可能，为全球氧化镓产业的创新发展贡献力量。
如需了解更多产品详情，请通过以下联系方式进行咨询！
联系方式：沈先生 13820576818
联系邮箱：st@wonder-sino.com
企业官网：www.wonder-sino.com
