【器件论文】Cr 掺杂 β-Ga₂O₃ 界面内纳米尺度阴极发光的电场依赖性

        由美国俄亥俄州立大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为Electric field dependence of nanoscale cathodoluminescence inside Cr doped β-Ga₂O₃ interfaces（Cr 掺杂 β-Ga₂O₃ 界面内纳米尺度阴极发光的电场依赖性）的文章。

摘要

        铬（Cr）是 β-Ga₂O₃ 晶体中的常见杂质，其特征 R1 和 R2 发光谱线易受晶体主场及外加电场影响。本研究表明，Cr 阴极发光（CL）会向晶体内部淬灭，但在施加反向偏压时增强，反映出随电场增强而产生的自由载流子耗尽效应。此外，证明通过测量 R1与 R2 的积分面积比，可将 R1/R2 荧光强度比值作为 Ni-β-Ga₂O₃:Cr 肖特基二极管中电场的直接探测指标。这种光学校准方法为确定 β-Ga₂O₃ 基肖特基二极管耗尽区电场强度提供了对传统 C-V 和 I-V 测量的补充途径，并可扩展至其他半导体及多层器件结构。

原文链接：

https://doi.org/10.1063/5.0311203