【外延论文】宽禁带 BeO 在 α-Ga₂O₃ 衬底上外延生长的带隙对齐

        由韩国延世大学综合技术学院的研究团队在学术期刊 Ceramics International 发布了一篇名为Band Alignment of Wide-bandgap BeO Epitaxially grown on α-Ga₂O₃（宽禁带 BeO 在 α-Ga₂O₃ 衬底上外延生长的带隙对齐）的文章。

摘要

        下一代电力电子设备的发展需要能在极端条件下工作的超宽带隙半导体材料。尽管α相氧化镓（α-Ga₂O₃）具有卓越的特性，但其固有的低热导率（8.0–11.6 W/m·K）以及与常规介质材料间有限的导带偏移量（CBO）限制了其实际应用。本研究通过等离子体增强原子层沉积技术，成功在 α-Ga₂O₃ 衬底上实现氧化铍（BeO）外延生长。该结构不仅形成显著的带隙偏移，更因 BeO 的高导热性有望提升界面热性能。透射电子显微镜与X射线衍射结构分析证实，BeO 以单晶形式生长，其原子级锐利的界面由六方晶体对称性匹配实现。此外，带隙对齐被确认为 I 型，CBO 值达 2.7 eV。这些结果表明 BeO 是 α-Ga₂O₃ 器件极具前景的介质材料。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2026.02.354