专家风采
【专家风采】Andriy Revenko —— 联盟技术专家委员会委员
日期：2026-03-11阅读：48
个人简介
Andriy Revenko 是一位来自于乌克兰的半导体物理学家与计算建模专家，拥有二十余年高校科研与教学经验。其研究领域涵盖宽禁带与超宽禁带半导体材料，包括 Ga₂O₃、GaN、GaNAs、ZnO 与 SiC，长期聚焦于薄膜生长、材料结构与光电特性表征、扩散过程以及残余应力分析等方向。
在理论建模方面，他构建了 GaN 与 GaNAs 异质结构中氮扩散及相形成的数学模型，并开展了 Ga₂O₃、ZnO 与 SiC 薄膜在硅基衬底上的机械应力多物理场模拟研究。近年来，他的研究进一步拓展至基于不确定性量化（UQ）的纳米尺度电化学传感器建模，通过耦合静电学、离子输运与流体动力学，对器件灵敏度与信号稳定性进行系统分析。
Revenko 博士曾在乌克兰、俄罗斯及爱尔兰多所高校从事科研工作，在 COMSOL Multiphysics、MATLAB、Maple 与 FlexPDE 等多物理场计算建模工具方面具有丰富经验。
成果展示
● β-Ga₂O₃ 薄膜与异质结构研究
Revenko 博士围绕 β-Ga₂O₃ 薄膜在硅及多孔硅衬底上的生长机制开展了系统性的实验与计算研究，采用 RF 磁控溅射方法制备薄膜。其研究结合拉曼光谱、X 射线衍射、扫描电子显微镜分析 以及有限元建模，对 Ga₂O₃ 异质结构的晶体质量、应变形成及机械应力进行了综合评估。
研究结果表明，在 Si 以及 SiC/por-Si/Si 复合衬底上均可沉积获得高质量 β-Ga₂O₃ 薄膜，表现出较低的结构畸变和稳定的薄膜形貌。研究中的重要部分还包括基于 COMSOL Multiphysics 的残余机械应力模拟，模拟结果与实验测量数据高度吻合，并进一步揭示了衬底结构、缓冲层设计以及沉积工艺参数对应力形成的关键影响。
相关成果表明，RF 磁控溅射是一种具有成本优势的 β-Ga₂O₃ 薄膜制备方法，为 β-Ga₂O₃ 与硅基平台的集成提供了可行路径，在功率电子器件与光电子器件领域具有良好的应用潜力。
[论文成果]
1.A. Revenko; V. Kidalov; D. Duleba; M. Derhachov; R. Redko; Robert Johnson; M.-A. Aßmann; O. Gudymenko; O. Sushko; M. Koptiev, --- Experimental Analysis and Computational Modeling of Residual Stress in β-Ga2O3 Thin Films Grown on Si by RF Magnetron Sputtering // Acta Physica Polonica A, 2025, No. 2, V.148, pp. 158-165, https://doi.org/10.12693/aphyspola.148.158
2.Andriy S. Revenko; Valerii V. Kidalov; Mykhailo P. Derhachov; Roman A. Redko; Robert P. Johnson; Marc A. Assmann; Olexandr I. Gudymenko; Oleksii O. Sushko; Mykhailo M. Koptiev, --- Investigation of mechanical stresses in β-Ga2O3 films obtained by radio frequency magnetron sputtering on porous-Si/Si substrate // The European Physical Journal Applied Physics, 2025, Volume 100, (21), https://doi.org/10.1051/epjap/2025021
3.Valeriy Kidalov; Mykhailo Derhachov; Andriy Revenko; Oleksandr Gudymenko; Roman Redko; Oleksii Olehovych Sushko; Mykhailo Koptiev; Marc Assmann; Robert Johnson, --- Structural Properties and Raman Spectra of Micron-Thick β-Ga2O3 Films Deposited on SiC/Porous Si/Si Substrates //ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2025-08-14, https://doi.org/10.1149/2162-8777/adfb52
专家寄语
宽禁带与超宽禁带半导体正持续重塑现代 功率电子、光电子以及材料工程的发展格局。我们近期在 Ga₂O₃、GaN、GaNAs、ZnO 与 SiC 薄膜方面开展的建模与实验研究表明，通过将低成本沉积工艺与先进仿真工具相结合，可以显著提升材料的结构质量、降低机械应力，并进一步拓展器件层面的功能潜力。与此同时，将不确定性建模引入电化学过程建模，也为实现更加可控、可预测的半导体薄膜生长工艺提供了新的研究路径。
期待未来能够与学术界与产业界的同行开展更深入的合作，共同推动宽禁带半导体材料与相关技术的发展，完善产业生态，并加速其在高性能实际应用场景中的落地。
※如有任何国际合作及交流需求，可联系联盟进行对接。
