【外延论文】铜与镁掺杂的 β 相 Ga₂O₃ 的 X 射线光电子能谱与光致发光研究

        由美国加利福尼亚大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为X-ray photoelectron spectroscopy and photoluminescence study of copper and magnesium doped beta-phase Ga₂O₃（铜与镁掺杂的 β 相 Ga₂O₃ 的 X 射线光电子能谱与光致发光研究）的文章。

摘要

        采用等离子体辅助分子束外延技术，在 c 面蓝宝石衬底上生长了掺杂镁（Mg）、掺杂铜（Cu）以及 Mg 和 Cu 共掺杂的 β-Ga₂O₃ 薄膜样品。X 射线光电子能谱分析证实了掺杂浓度。此外，在价带最大值附近观测到价带态密度变化，但所有掺杂样品均未出现费米能级位移，表明其导电性与未掺杂样品无异。采用 193nm ArF 激光激发进行室温光致发光（PL）表征，并实施 PL 峰值解卷积分析。未观测到近带边发射。各样品的PL主要由导带与自陷空穴能级间的光学跃迁以及施主-受主对跃迁主导。这些施主与受主分别源自氧空位（V_O）和镓-氧空位复合体（V_Ga-V_O）。未提取到可归因于 Mg 和 Cu 受主能级的可见跃迁。

原文链接：

https://doi.org/10.1063/5.0322948