【外延论文】通过缺陷工程实现自限二维 Ga₂O₃ 薄膜的带隙调制

        由中国科学院半导体研究所的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为Bandgap modulation in self-limited two-dimensional Ga₂O₃ films via defect engineering（通过缺陷工程实现自限二维 Ga₂O₃ 薄膜的带隙调制）的文章。

摘要

        本文通过触点印刷工艺实现了二维氧化镓（2D-Ga₂O₃）薄膜的可控剥离，该工艺利用了液态镓的自限氧化特性。所得薄膜具有高厚度均匀性和表面平整度。经800℃退火1小时后，薄膜厚度因再结晶作用从6.8nm减薄至3.9nm。通过精确调控退火参数，研究团队引入点缺陷并促进Ga–Si–O固溶体的形成，实现了4.88–7.22 eV范围内的连续带隙可调性。本研究明确揭示了退火处理、缺陷演变与能带结构调控之间的关联机制。

原文链接：

https://doi.org/10.1063/5.0309464