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【会员新闻】2026半导体新材料发展（德阳）大会展商风采｜万德思诺集团
日期：2026-03-30阅读：26
集团简介
万德思诺集团秉持“技领先端，镓通天下”的理念，始终坚持为宽禁带半导体行业客户提供国际上最先端的材料、装备和技术工艺。作为国内最早布局和销售第四代半导体（氧化镓）相关材料和装备的企业，通过持续整合行业技术及资源，为客户提供“材料+装备+工艺”的整体解决方案。公司通过技术引进与自主研发相结合，深度合作国内顶尖高校、科研院所的产研资源，联合行业龙头企业协同攻坚，精准打通产业化关键节点，构建氧化镓产业化生态，全力推动氧化镓材料从实验室走向规模化应用。
主营产品
01
氧化镓衬底及外延片
量产型氧化镓衬底及外延片包括：
研发型氧化镓衬底片包括：
02
氧化镓原料
专为氧化镓单晶生长量身定制的高纯度、高品质原料，包括5N级别颗粒料以及4N级别饼状料；以精湛工艺赋能长晶效率与品质，是氧化镓晶体规模化、高品质生长的核心保障。
03
SAM基板
产品特点: 与GaN 晶格失配率低至1.8%，匹配度优异。
与 InGaN 实现良好晶格匹配。
与 GaN 热膨胀系数差异仅0.6%，热稳定性突出。
可通过劈开工艺制备外延专用基板。
可生长无位错高质量晶体。
可获得与 Si 相媲美的高晶体质量。
产品应用：作为高性能基板材料，用于 GaN 外延生长，制备高品质自支撑衬底。
04
Ni晶体
产品特点：
采用CZ 法独特晶体生长工艺，制备高纯度单结晶材料。
可实现大口径规模化生产，支持Φ6 inch、Φ8 inch 晶锭定制。
与石墨烯晶格失配率低至 1.3%，匹配性能优异。
产品应用：适用于金刚石、石墨烯、GaN 等材料的外延生长，是制备高性能自支撑衬底的理想基板材料。
05
Fe-Ga合金
产品特点：
高品质单晶材料，支持CZ法和VB法双工艺制备，可实现大尺寸晶体生长。
具备优异的磁致伸缩性能，磁致伸缩量≥300 ppm。
拥有高耐久性与出色的机械加工性能。
使用温度范围宽广，适配多种工况环境。
晶体生长轴取向精准可控，优选＜100＞取向。
产品应用：
基于磁致伸缩效应实现高效振动发电，显著提升发电续航与能量转换效率，为新型传感、驱动及能量收集系统提供核心材料支撑。
联系我们：
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