【外延论文】通过后快速热退火温度调控氧化镓/氮化镓异质结构的光电性能

        由马来西亚理科大学的研究团队在学术期刊Ceramics International发布了一篇名为 Engineering Optoelectronic Properties in Gallium Oxide/Gallium Nitride Heterostructures via Post-rapid Thermal Annealing Temperature Modulation（通过后快速热退火温度调控氧化镓/氮化镓异质结构的光电性能）的文章。

摘要

        本研究考察了快速热退火后处理（PRTA）对β-Ga₂O₃/GaN异质结构的形貌、结构及光电性能的影响。β-Ga₂O₃ 薄膜通过电子束蒸发沉积在 GaN/蓝宝石衬底上，并在 700–900 °C 范围内进行退火处理。原子力显微镜（AFM）与场发射扫描电子显微镜（FESEM）分析表明，800 °C 退火可获得最平整的表面。X 射线衍射（XRD）结果进一步验证了这一点，在该温度下，薄膜结晶性最佳，表现为最小的半高宽（FWHM）、应变以及位错密度。此外，光学分析显示，800 °C 退火可改善薄膜的吸收性能、折射率及载流子迁移率，同时降低电阻率和片电阻。研究结果表明，可控的快速热退火后处理（PRTA）能够显著提升 β-Ga₂O₃/GaN 薄膜质量，使其成为先进光电器件应用的有力候选材料。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2026.03.180