行业标准
会员新闻

【会员新闻】率先突破10000V!镓仁半导体助力平湖实验室研制万伏级超低导通电阻氧化镓光导开关,成功打破“万伏”大关!

日期:2026-04-07阅读:114

        近日,深圳平湖实验室联合国内顶尖科研团队,成功研制万伏级超低导通电阻氧化镓光导开关。该关键核心器件依托杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)自主研发的高质量氧化镓半绝缘衬底材料实现,于2026年2月正式完成验证并对外发布。该项成果一举打破“万伏”大关,标志着我国在全球范围内率先迈入氧化镓万伏级器件实用化阶段,在第四代超宽禁带半导体核心材料与器件领域实现领跑地位。

图1 万伏级耐压氧化镓光导开关器件

(图源深圳平湖实验室)

 

材优则器精,筑牢万伏根基

        本次本次平湖实验室万伏级光导开关,实现击穿电压>10000V,同时具备超低导通电阻(动态导通电阻低于10欧姆)、亚纳秒级(<1ns)超快响应、高稳定性等突出优势,综合性能达到国际领先水平。相较于行业传统水平,该器件在耐压能力大幅提升的同时,导通损耗显著降低,可广泛应用于高压直流输电智能化控制、大功率脉冲产生、先进加速器及国防高技术装备等领域高端领域,解决长期以来高压、超快、低阻器件 “卡脖子” 难题。

        作为本次突破的核心支撑,镓仁半导体氧化镓衬底材料发挥决定性作用。公司自主研发的8英寸氧化镓衬底结晶质量优异、厚度均匀性高、电学性能稳定,完全满足高端高压器件对大尺寸、低缺陷、高一致性的严苛要求,是目前国际少数可支撑万伏级器件工程化验证的氧化镓衬底材料,为大功率、高压、大尺寸氧化镓器件发展奠定坚实基础。



技领全链条,护航器件创新

        镓仁半导体持续深耕氧化镓领域,于2026年3月实现全球首个8英寸氧化镓同质外延生长,一举破解了氧化镓产业化的核心瓶颈,更重塑了全球氧化镓产业的竞争格局。此外,镓仁半导体专为氧化镓科研场景量身打造“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备,以全自主核心技术助力高效科研探索。

        公司具备各尺寸氧化镓衬底规模化制备能力,衬底平整度、位错密度、电学参数表现均属世界领先水平;同时拥有成熟的氧化镓同质外延生长工艺,可稳定制备高耐压、低损耗、大功率专用外延片。公司产品全面覆盖光导开关、MOSFET、二极管、探测器等多种器件需求。

        目前,镓仁半导体8英寸氧化镓同质外延片已实现稳定供给,多项关键指标达到国际先进水平,可充分支撑高校、科研院所及器件企业开展高压、高频、大功率、光电等前沿方向研究。



智创核心器,支撑科研进阶

        镓仁半导体“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备依托镓仁半导体多年氧化镓产业化技术沉淀,在稳定性、精准度和兼容性上实现三重突破,堪称科研路上的“得力搭档”:

        可灵活满足不同尺寸氧化镓VB法单晶生长需求,无需频繁更换核心部件,极大降低成本要求。

        搭载自主研发的全自动化复合测温技术和控温算法,温度控制精度达±0.1℃,确保晶体生长过程的稳定性、均匀性和一致性。

        配备可视化操作界面与智能数据记录功能,实时监测长晶过程中的关键数据,减少人工操作误差,加速科研进程。

 

关于镓仁

        杭州镓仁半导体有限公司是全球领先的氧化镓材料与设备解决方案提供商,专注于超宽禁带半导体领域的技术研发与产业化落地。公司核心产品包括:2-8英寸氧化镓单晶与衬底(其中8英寸为国际首发)、氧化镓垂直布里奇曼法(VB法)长晶设备、氧化镓外延片等,致力于构建 设备-晶体-衬底-外延” 全链条产品体系,为全球客户提供系统性解决方案。公司在氧化镓领域的相关成果获得人民日报、新华社、科技日报、新浪财经、中国蓝新闻、澎湃新闻等知名媒体专题报道

        企业荣誉汇总:2023年获评国家级科技型中小企业、浙江省创新型中小企业;2024年获评浙江省专精特新中小企业;2025年获批高新技术企业;2025年获SEMICON  CHINA  “SEMI可持续发展杰出贡献奖”、九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会“聚力同行奖”、浙江省半导体行业“创新活力奖”、第十届“创客中国”浙江省总决赛企业组二等奖、第十届“创客中国”中小企业创新创业大赛全国企业组  500 强、“2024-2025年度半导体材料行业贡献奖”;“8英寸氧化镓单晶及衬底制备实现重大突破”成果入选“2025 年度中国第三代半导体技术十大进展”及浙江省科技厅“2025年度重大科技成果”;在氧化镓领域牵头了2项团体标准草案的制定、参与起草了1项国家标准制定、参与推动了1项团体标准草案的制定;获得浙江省杭州市萧山区“5213”卓越类计划支持,获批建立浙江省企业研究院;取得了质量管理体系认证证书;获得国际国内发明专利授权14项(含美、日等多国专利),申请中专利50余项。

 

如需了解更多关于镓仁半导体及其产品的信息

请访问我们的官方网站 :http://garen.cc/

或通过以下方式与我们联系:

江先生:15918719807

邮箱:jiangjiwei@garen.cc

夏先生:19011278792

邮箱:xianing@garen.cc