专家风采
【专家风采】徐晓东 —— 联盟技术专家委员会委员
日期：2026-04-09阅读：78
个人简介
胡继超，西安理工大学自动化与信息工程学院（集成电路学院）教授、电子工程系主任、博士生导师。镓创未来半导体科技（晋江）有限公司联合创始人。福建省引进高层次创业创新团队核心成员。长期从事宽禁带半导体材料SiC，Ga2O3外延生长及相关器件研究。近五年，先后主持国家自然科学基金青年基金项目和面上项目各1项，陕西省科技创新平台项目2项，陕西省教育厅自然科学专项1项，西安市科技计划项目1项，宽禁带半导体材料教育部重点实验室开放基金项目1项，横向项目10余项。作为主要成员参与国家自然基金面上项目2项，JKW项目1项，省部级重点项目2项，省部级项目1项。在IEEE Electron Device Letters、Applied Surface Science、Surfaces and Interfaces等领域权威期刊发表学术论文50余篇，其中以第一作者/通信作者身份发表SCI论文20篇。第一发明人获得国家授权专利9项。研究成果获陕西省教育厅科技进步二等奖1项。
成果展示
1. 氧化镓异质外延生长
高质量的外延材料是制造高性能器件的基础，针对氧化镓异质外延生长工艺和缺陷控制中的关键问题开展研究工作，探索外延生长工艺参数对外延材料性能的影响及机制，建立Ga2O3异质外延材料生长工艺；通过对外延材料缺陷的研究，揭示外延材料中主要缺陷的形成、演化机理，提出外延材料生长缺陷抑制方法。突破了大尺寸高质量的Ga2O3异质外延材料生长工艺，并在此基础上开展了Ga2O3相关功率及光电器件研究工作并取得了一定的成果。
2.氧化镓器件
在Ga2O3紫外探测器及high-k MIS电容等方面开展了相关研究工作并取得了一定成果。基于非对称MSM结构，利用氧化镓单晶材料成功制备了自供电深紫外光电探测器。在4H-SiC衬底上制备了Ga2O3纳米线，并研究了基于上述结构的光电探测器的性能。制备了富 Al组分 HfAlO/β-Ga2O3 MOS电容，具体研究了Ga2O3 MOS氧化层内不同类别陷阱（界面缺陷、近界面缺陷、固定电荷等）对Ga2O3 MOS器件可靠性的影响规律。
3. SiC外延生长及功率器件
研究方向为大直径4H-SiC厚膜外延材料生长及4H-SiC肖特基二极管的研制工作，在4H-SiC高速外延材料生长机理、4H-SiC外延材料表面缺陷和结构缺陷控制技术、4H-SiC外延材料本征缺陷控制技术、缺陷对SiC肖特基二极管特性影响等方面进行了深入的研究。重点研究了外延材料表面缺陷的结构、形成机制及控制方法。利用所生长的外延材料成功制备出1.2kV~3.3kV的SiC结势垒肖特基二极管器件，并研究了表面缺陷对器件特性的影响。
参考文献：
[1] Jichao Hu, et al. Effects of off-axis angles of 4H-SiC substrates on properties of β-Ga2O3 films grown by low-pressure chemical vapor deposition [J]. Applied Surface Science. 2025,680:161377.
[2] Jichao Hu, et al. Step flow growth of β-Ga2O3 films on off-axis 4H-SiC substrates by LPCVD [J]. Surfaces and Interfaces, 2023, 37:102732.
[3] Bei Xu, et al. Band alignment and electronic structure of β-Ga2O3 (-201) grown on Siand C-faces of 4H–SiC substrates [J]. Vacuum. 2024, 224:113164.
[4] Jichao Hu, et al.Synthesis and characterization of β-Ga2O3 nanowires on 4H-SiC substrates via Au-catalyzed low-pressure chemical vapor deposition[J]. Journal of Crystal Growth. 2025, 688:128287.
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[6] Xiaomin He, Jichao Hu, et al. Study on the interface electronic properties of AlN(0001)/β-Ga2O3(100) [J]. Surfaces and Interfaces, 2022, 28:101585.
[7] Xiaomin He, et al. The effect of vacancy defects on the electronic properties of β-Ga2O3[J]. Computational Materials Science. 2022, 215:111777.
[8] Jichao Hu, et al. Fabrication and characterization of CuAlO2/4H–SiC heterostructure on 4H–SiC (0001) Superlattices and Microstructures. 2021,155:106918.
[9] Jichao Hu, et al. Monolithic Integration of 1.2kV Optically-Controlled SiC npn Transistor and Antiparallel Diode[J]. IEEE Electron Device Letters. 2022, 43:9
[10] Jichao Hu, et al. Study of a new type nominal “washboard-like” triangular defects in 4H-SiC 4° off-axis (0 0 0 1) Si-face homoepitaxial layers[J]. Journal of Crystal Growth. 2019, 506:14-18.
专家寄语
氧化镓的产业化突围，关键在于跨越材料的物理极限。作为连接前沿科研与产业落地的桥梁，异质外延技术——无论是基于HVPE、MOCVD还是Mist-CVD，都为破解材料的散热与成本壁垒提供了极具价值的工程解法。立足亚洲，放眼全球，期待在这个充满活力的联盟平台上，与各位同仁在底层工艺上深度碰撞，打通从基础机理到量产落地的全链条。让我们以技术为擎，共拓超宽禁带半导体的广阔未来！
