【会员新闻】富加镓业领跑中国氧化镓产业：从材料突破到器件性能边界的全链条创新

        2026年4月2日，浙江卫视以《浙江省内唯一！科学家创业为何钟爱这家孵化器》为题，对杭州光学精密机械研究所的科技企业孵化成果进行了深度报道。其中，杭州富加镓业科技有限公司由于在氧化镓产业化领域的系列突破，被作为代表性案例重点呈现。公司副总经理黄浩天介绍：“我们实现了国际首个12英寸氧化镓单晶的制备，这不仅是尺寸变化，更是一次产业化质的飞跃。”

        对于富加镓业而言，这一时刻并非起点，而是阶段性节点——映照出一条持续推进的产业化路径。

        2025年初，富加镓业实现4英寸VB法氧化镓单晶的稳定生长，并同步推出自主生长装备与工艺体系，使晶体生长具备可重复性。此后，公司连续突破尺寸限制：2025年9月首次制备6英寸VB法单晶，12月联合中国科学院上海光机所实现8英寸晶体生长，至2026年3月成功制备全球首颗12英寸氧化镓单晶。从4英寸到12英寸，不是简单的尺寸放大，而是设备制造、热场设计、晶体生长稳定性、应力控制等每一个环节的工程能力的极限考验。标志着材料从科研样品向产业化制造的关键跃迁。

        如果仅有尺寸的放大和制备能力的提升，产业化仍停留在“可能性”层面。真正决定技术价值的，是其在器件端的表现。

        2026年3月31日，九峰山实验室发布消息，其研制的氧化镓横向MOSFET实现超过9000V（实测9.02kV）的击穿电压。在行业普遍水平仍停留在4000V以下的背景下，这一成果实现了显著跨越。

        该器件所采用的关键材料——国产同质外延片，来自富加镓业。

        这一结果所揭示的，并不仅是单一器件性能的提升，而是一个更为本质的内核：中国的材料，正在定义器件性能的上限。

        此前，基于富加镓业外延片制备的垂直型功率肖特基二极管，其功率品质因子（PFOM）已达到3.07 GW/cm²，达到国际公开报道中的领先水平。连续的器件验证，使材料能力不再停留于参数指标，而转化为可感知的器件性能边界。

        伴随材料与器件性能的持续突破，富加镓业逐步构建起覆盖“衬底—外延—器件验证”的垂直整合能力。

        2025年，公司在MOCVD同质外延、高迁移率材料制备及器件流片等方面取得多项进展；同时，通过推出多晶面衬底产品、开展定制化服务，并与国际企业建立战略合作关系，逐步打通产业链上下游。

        这一阶段的关键，不再是单一技术点的突破。而是，不同环节之间，能否形成有效协同与闭环。