【器件论文】垂直 β-Ga₂O₃ 肖特基二极管中多个浮动场板电场的重新分布

        由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊 Microelectronics Journal 发布了一篇名为Electric field redistribution of multiple floating field plates in vertical β-Ga₂O₃ Schottky diodes（垂直 β-Ga₂O₃ 肖特基二极管中多个浮动场板电场的重新分布）的文章。

摘要

        β-氧化镓（β-Ga₂O₃）被视为面向高温、高压工况的下一代大功率电子器件的关键使能材料。本研究针对基于 Al₂O₃ 介电层的多浮动场板（MFFP）端接结构，对一种高性能垂直 β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管（SBD）进行了研究。MFFP 结构通过电容耦合效应有效调节了电场分布，增强了反向阻断能力，将击穿电压从 750 V 提升至 1820 V，实现了 0.78 GW/cm² 的高巴利加功率优值（PFOM）。TCAD 仿真揭示了电场调制机制，证明优化的结构参数和介电层厚度能有效抑制阳极边缘处的峰值电场。这些结果凸显了将 MFFP 结构与 Al₂O₃ 介电层相结合的潜力，这可作为下一代高压 β-Ga₂O₃ 电力电子器件的一种稳健的边缘终端策略。

DOI：

https://doi.org/10.1016/j.mejo.2026.107194