【外延论文】氮掺杂含量对氧化镓薄膜性质的影响

        由中国科学院上海硅酸盐研究所&北京工业大学的研究团队在学术期刊《真空》发布了一篇名为Evolution of Ga₂O₃ Thin Film Properties with Nitrogen Doping Levels（氮掺杂含量对氧化镓薄膜性质的影响）的文章。

摘要

        针对氧化镓 p 型掺杂困难的瓶颈问题，本文采用射频磁控溅射法在 Si 和石英衬底上制备了不同氮掺杂含量的 β-Ga₂O₃ 薄膜，并系统研究了 N 掺杂对其结构、光学与电学性质的影响。研究结果表明：N 掺杂并未改变 β-Ga₂O₃ 的基本晶体结构，但对其光学带隙产生了显著的调制作用，随 N 含量增加，光学带隙从 4.56 eV 减小至 4.19 eV；霍尔效应测试表明，N 掺杂能够有效调控载流子的浓度与迁移率，并在特定掺杂浓度下实现了导电类型从 n 型向 p 型的转变；光电性能测试显示，氮掺杂对 β-Ga₂O₃ MSM 器件的紫外光电性能呈现非单调影响，适量氮掺杂通过抑制暗电流与优化载流子行为，有效提升了器件的光暗电流比与探测性能。

知网链接：

https://kns.cnki.net/kcms2/article/abstract?v=JRmhR0Lfi27YOVyDgFMGnk5Me58LQDzxCI5Iaab0hqw9G8j2JkhFRap802NJbOP6ISH5-A8c6ZDlamQkMY9C4ycXvue0YwldHR_fxle0Y0iq9wrsv5CLD_yVoCm-0ar8pkvJrpZP6HLq6TWkCo5dYPQ9FX4XbUvEre8DLLHz_-ufX462dDsRKg==&uniplatform=NZKPT&language=CHS