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【器件论文】用于自供电紫外光探测的界面工程化 p-CsCu₂I₃/n-Ga₂O₃ 纳米线异质结

日期:2026-04-24阅读:56

        由鲁东大学的研究团队在学术期刊Journal of Materials Chemistry C发布了一篇名为Interface-engineered p-CsCu₂I₃/n-Ga₂O₃ nanowire heterojunctions for self-powered ultraviolet photodetection(用于自供电紫外光探测的界面工程化 p-CsCu₂I₃/n-Ga₂O₃ 纳米线异质结)的文章。

摘要

        自供电紫外光电探测器由于无需外加电源,在低功耗光电子系统中具有重要应用潜力,但其性能往往受限于界面复合以及载流子分离效率不足等问题。本文报道了一种全无机 p-CsCu₂I₃ / n-Ga₂O₃ 纳米线异质结自供电光电探测器。该器件通过脉冲激光沉积与热蒸发工艺制备,引入超薄 CuI 中间层作为界面工程调控层,实现了从 UVA 到 UVC 的连续光谱响应。其中,Ga₂O₃ 纳米线网络提供了较大的结面积和高效的载流子传输通道,而 CsCu₂I₃ 作为 p 型层,不仅具备良好的稳定性,还具有适配紫外响应的带隙特性。实验表明,超薄 CuI 界面层的引入在性能提升中起到了关键作用,显著增强了器件的各项指标:在 320 nm、103 µW·cm⁻² 光照条件下,器件的光电流、开关比(约 630)、响应度(120.3 mA·W⁻¹)、比探测率(1.50 × 10¹² Jones)以及响应速度(21/24 ms)均得到明显提升。该工作构建了一种稳定、无铅的全无机异质结体系,展示了界面调控在开发低功耗、多光谱、高稳定性自供电紫外探测器中的关键作用。

 

原文链接:

https://doi.org/10.1039/D6TC00448B