【会议新闻】九峰山论坛圆满落幕:共同见证氧化镓赋能的化合物半导体新赛道
日期:2026-04-28阅读:16
2026年4月23日至25日,九峰山论坛在武汉光谷科技会展中心圆满落幕。作为中国化合物半导体领域的年度标志性事件,本届论坛以“新赛道、新技术、新产品、新市场”为主线,汇聚超千家企业与万余名专业观众,在2万平方米展区内集中呈现产业发展的阶段性成果与整体势能。
论坛期间,“中国新质半导体创新发展三十年特展”与纪录片《新质芯力量》同步展映,以“筑基、奔涌、激荡、启新”为脉络,系统梳理中国化合物半导体的发展历程,在历史与现实的交汇中提炼出产业演进的关键路径,为行业当下发展提供了清晰的参照坐标。
作为本届论坛的重要环节之一,“企业新品发布会”在展馆核心区域举行,多家产业链企业集中发布覆盖材料、器件、装备等领域的最新成果。从技术突破到产品化表达,新品集中亮相不仅展现了企业创新能力的阶段性跃升,也折射出产业从技术积累向应用落地加速转化的整体趋势。
当技术、产品与产业叙事在同一场域逐步对齐,九峰山论坛所释放的,已不止于规模与热度,更是一种愈发明确的信号——中国化合物半导体,正由单点技术突破迈向体系化发展。

三天时间里,院士专家领衔八大高峰论坛,200余场报告密集展开,300余家头部企业同台展示,贯通材料、器件与应用全链条。从技术突破到产品落地,多维信号在此交汇,不仅呈现阶段性成果,也进一步强化了产业协同与发展路径共识。
在西安电子大学郝跃院士领衔的战略性化合物半导体材料技术高峰论坛上,联盟重点关注氧化镓方向的多项进展:深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家张道华,围绕超宽禁带半导体分享最新研究成果,进一步拓展材料体系的性能边界;上海光机所二级研究员、杭州光机所所长、杭州富加镓业科技有限公司创始人齐红基,则以12英寸氧化镓单晶突破为切入,对产业化路径进行了延展性思考;在基础研究层面,武汉大学集成电路学院教授张召富围绕各向异性辐照损伤及相变动力学机制的研究进展,为器件可靠性提供了关键支撑;而从产业视角出发,杭州镓仁半导体有限公司董事长张辉系统梳理了氧化镓产业化面临的六大挑战,并结合企业实践分享了阶段性进展。

此外,西安电子科技大学副校长、教授张进成主持圆桌会议。圆桌环节中,云南临沧鑫圆锗业股份有限公司首席科学家惠峰、武汉大学物理科学与技术学院教授何军、德国德累斯顿-罗森道夫亥姆霍兹研究中心半导体事业部主任周生强,以及杭州镓仁半导体有限公司董事长张辉等嘉宾围绕化合物半导体材料技术及产业化落地展开讨论,内容涵盖关键材料瓶颈、产学研协同及未来应用方向等方面。面向“十五五”,第四代超宽禁带半导体被明确纳入重点方向,在高压高功率、电力电子等关键场景中的应用价值进一步凸显。其中,氧化镓凭借其材料特性与产业进展,正在加速从技术验证走向产业化落地,成为推动新一轮半导体产业演进的重要支点。

此外,共有10家联盟会员单位亮相本次论坛展区,包括湖北九峰山实验室、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、山东晶升电子科技有限公司、杭州镓仁半导体有限公司、上海茂图特种气体有限公司、矢量集团、费勉仪器科技(南京)有限公司、蓝河科技(绍兴)有限公司、苏州瑞霏光电科技有限公司及北京昌龙智芯半导体有限公司,集中展示材料制备、装备工艺及器件应用等方向的最新成果。
其中,昌龙智芯发布氧化镓预售产品矩阵,并与联盟签署战略合作协议正式加入,双方将围绕外延生长、器件制造及封装测试等关键环节开展协同攻关,加速国产氧化镓产品由工程样机向规模化应用转化。
整体来看,各参展单位围绕核心技术持续推进,通过产品与解决方案的集中呈现,展现出关键材料突破、工艺能力提升及应用拓展的阶段性进展,也反映出产业链协同加速、创新动能持续释放的发展态势。
此次,联盟借助论坛契机,进一步走访并对接会员单位,深入了解企业在技术研发、产业推进及市场拓展等方面的实际进展与核心诉求,为后续优化服务体系与资源配置提供更具针对性的支撑。同时,围绕产业链上下游协同、技术合作与应用落地等方向,联盟与会员开展了多维度交流,进一步强化了协同基础。
在媒体合作方面,联盟还与协创微、DT半导体等行业媒体进行了深入沟通,围绕内容传播、品牌共建及资源联动等展开交流,为提升行业影响力与信息触达效率、推动优质成果的持续输出奠定了基础。

总体来看,本届九峰山论坛围绕“新赛道、新技术、新产品、新市场”,集中呈现了化合物半导体领域的阶段性成果,也进一步强化了产业协同与发展共识。从新材料体系的持续拓展,到关键技术的不断突破,再到产品形态与应用场景的加速演进,行业正加快由点状创新向体系化发展迈进。
面向未来,随着“十五五”对第四代超宽禁带半导体的持续聚焦,以及产业链协同的不断深化,以氧化镓为代表的新一代材料,有望在高压高功率等关键领域实现规模化突破,持续打开新的应用空间与市场边界,推动中国化合物半导体迈向更高质量的发展阶段。


