【会议论文】卤化物气相外延法生长(001)β-Ga₂O₃时，反应物气体对生长表面形态的影响

        论文简介：来自韩国LumiGNtech公司的Hae-Yong Lee、Young Jun Choi和Hae-Gon Oh联合发表了一篇名为《The effect of reactant gases on the surface morphologies of as grown surfaces in the homoepitaxial growth of (001) β-Ga₂O₃ by halide vapor phase epitaxy》的论文文章。该文章介绍卤化物气相外延法生长（001）β-Ga₂O₃时的一些反馈。