【国际论文】关于MOVPE生长的(100)β-Ga₂O₃薄膜及其铝合金在电力电子领域应用的展望

        近日由德国莱布尼茨晶体生长研究所（IKZ）投稿于科学期刊《Applied Physics Letters》的一篇名为Perspectives on MOVPE-grown (100)β-Ga₂O₃ thin films and its Al-alloy for power electronics application（关于MOVPE生长的(100)β-Ga₂O₃薄膜及其铝合金在电力电子领域应用的展望 ）的氧化镓相关论文。

        文章对MOVPE生长的(100) β-Ga₂O₃薄膜的发展及其在补充大功率电子设备中的作用进行了概述和展望。回顾了(100)  β-Ga₂O₃薄膜生长过程的发展，讨论了已解决的问题和剩余的挑战。并且分析了结构缺陷的形成机制、衬底处理方法和不同的生长窗口，以优化生长的薄膜，满足器件制造的要求。

        针对工业应用，从两个方面对MOVPE生长的 β-Ga₂O₃薄膜进行了评估：具有光滑表面粗糙度的厚层，以及高载流子迁移率和低掺杂浓度的电性能。基于上述结果，提出了基底制备处理的方案和支援手段，如机器学习方法，用于未来生长过程的优化，提高对β-Ga₂O₃相关合金β-(Al_xGa_1-x)₂O₃的兴趣。