【器件论文】垂直 NiO/β-Ga₂O₃ p–n 二极管的动态电热电路建模

        由韩国航空大学的研究团队在学术期刊 Microelectronics Reliability 发布了一篇名为Dynamic electro-thermal circuit modeling for vertical NiO/β-Ga₂O₃ p–n diodes（垂直 NiO/β-Ga₂O₃ p–n 二极管的动态电热电路建模）的文章。

摘要

        在这项研究中，本篇文章建立了一个电热电路模型来分析 Ga₂O₃ 二极管的自热效应对其电学行为的影响。研究获得了垂直 NiO/β-Ga₂O₃ p-n 二极管的电流-电压特性以及温度依赖性电路参数，并将三维热模拟结果与红外测量数据进行了定量比较。通过热模拟提取出 Cauer 型 RC 网络模型。电热电路仿真结果表明，该电路模型能够准确捕捉实际工作条件下的热相互作用。研究表明，该电路模型可通过自热效应与电学行为的实时交互来预测器件工作特性。最终，本篇文章构建了一个考虑 Ga₂O₃ 器件热特性的电路分析框架，并提出了一种基于所用材料的电路设计方法。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.microrel.2026.116157