【器件论文】利用超薄非晶 BN 界面层改善 NiO/β-Ga₂O₃ 异质结二极管的性能

        由韩国科学技术院的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为Performance improvement of NiO/β-Ga₂O₃ heterojunction diodes using ultrathin amorphous BN interfacial layer（利用超薄非晶 BN 界面层改善 NiO/β-Ga₂O₃ 异质结二极管的性能）的文章。

摘要

        本文提出了一种具有超薄（约 2 nm）非晶氮化硼（a-BN）界面层（IL）的 NiO/β-Ga₂O₃ 异质结二极管。与未引入 a-BN 界面层的 NiO/β-Ga₂O₃ 二极管相比，该 NiO/a-BN/β-Ga₂O₃ 异质结二极管表现出更低的导通电压和更高的正向电流，从而降低了功耗。研究还发现，a-BN 界面层可减少界面态，从而提高了偏压应力后的工作可靠性及反向阻断特性。

原文链接：

https://doi.org/10.1063/5.0321156