【外延论文】用于日盲紫外线检测的射频溅射 β-Ga₂O₃ 薄膜：进展、挑战与未来展望

        由捷克共和国帕尔杜比采大学的研究团队在学术期刊 Materials 发布了一篇名为 RF-Sputtered β-Ga₂O₃ Thin Films for Solar-Blind UV Detection: Progress, Challenges, and Future Perspectives（用于日盲紫外线检测的射频溅射 β-Ga₂O₃ 薄膜：进展、挑战与未来展望）的文章。

摘要

        本文对基于物理气相沉积（PVD）射频（RF）溅射技术的 β-Ga₂O₃ 薄膜日盲紫外（UV）光电探测器（SB-UVPD）的最新研究进展进行了全面而深入的评估，着重强调了其在下一代光电应用中的巨大潜力。本综述详细介绍了不同光电探测器的结构、SB-UVPD 的性能特征，并概述了 β-Ga₂O₃ 的各项属性，正是这些属性使其成为下一代器件中极具前景的宽带隙半导体材料。此外，本文还简要阐述了 PVD RF 磁控溅射技术的工作原理，并特别关注了沉积参数（包括溅射功率、气体压力、沉积时间、靶材与衬底间距以及衬底温度）对所得薄膜结晶度、形貌以及 SB-UVPD c 光学性能的影响。同时，本文也探讨了沉积后处理工艺（如退火处理和元素掺杂）对 SB-UVPD 性能的影响。最后，根据沉积参数的不同，对 SB-UVPD 的电性能特征进行了分类讨论。总体而言，本综述证实，PVD RF 磁控溅射技术是一种高度灵活且可控的制备高质量 β-Ga₂O₃ 薄膜基 SB-UVPD 的方法。通过精心优化沉积和后处理参数，可有效调控基于 β-Ga₂O₃ 的 SB-UVPD 的光电性能，从而使其能够成功集成到下一代高性能光电和光子系统中。

原文链接：

https://doi.org/10.3390/ma19102165