【器件论文】斜向重离子辐照对 Ga₂O₃ MODFET 瞬态响应的影响

        由印度德里大学的研究团队在学术会议 2026 International Conference on Intelligent Processing, Hardware, Electronics, and Radio Systems (CIPHER) 发布了一篇名为 Impact of Oblique Heavy Ion Irradiation on the Transient Response of Ga₂O₃ MODFETs（斜向重离子辐照对 Ga₂O₃ MODFET 瞬态响应的影响）的文章。

摘要

        本文探讨了重离子辐照所引发的单事件瞬态效应对 β-(AlGa)₂O₃/Ga₂O₃ MODFET 器件的影响。研究通过粒子轰击手段有针对性地探测器件的薄弱区域，并利用倾斜离子束轰击技术，精准定位量子阱附近栅 - 漏接入区的影响，从而对 Ga₂O₃ MODFET 器件进行了系统的可靠性评估。对所得漏极电流瞬态特性的对比分析显示，器件对朝向漏极电极的倾斜重离子轰击的敏感度显著提升，这归因于漏极电极处载流子收集效率的增强，进而导致峰值瞬态电流大幅增加。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/CIPHER70417.2026.11523803