【会议论文】氧化铟金属半导体场效应晶体管

        论文简介：来自德国莱比锡大学Felix Bloch固体物理研究所的F. Schöppach、H. v. Wenckstern和M. Grundmann联合发表的一篇名为《Indium oxide metal-semiconductor field-effect transistors》的论文文章。该文章介绍了氧化铟金属半导体场效应晶体管。