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【会员论文】南京邮电大学:基于热路径工程实现β-Ga₂O₃谐振纳机电传感器响应度与速度协同调控

日期:2026-06-17阅读:29

        由南京邮电大学的研究团队在学术期刊 ACS Applied Electronic Materials 发布了一篇名为 Tailoring Responsivity and Speed in Ga₂O₃-Resonant Nanoelectromechanical Systems Sensors via Thermal Pathway Engineering(基于热路径工程调控 Ga₂O₃ 谐振纳机电传感器的响应度与响应速度)的文章。

 

背   景

        日盲紫外探测、气体传感等领域对高性能传感器需求持续攀升,β-Ga₂O₃ 作为典型超宽禁带半导体,兼具优异机械性能、热稳定性与光电特性,在微纳机电传感器件中具备巨大应用潜力。传统光电类传感器依赖载流子输运实现信号转换,易受暗电流、载流子复合、持续光电导等问题制约,灵敏度与响应速度难以同时兼顾,成为器件性能提升的主要瓶颈。当前主流 β-Ga₂O₃ 基传感器多采用光电导工作模式,针对光热耦合型谐振体系的研究相对匮乏,该类器件普遍存在响应度与响应速度相互制约的固有矛盾,难以根据不同应用场景灵活调配性能参数。同时,现有研究大多仅聚焦单一性能优化,缺少从热传导路径入手、系统性调控器件热学与力学特性的设计思路,无法形成可通用的器件优化方案,面向动态监测、静态环境监测等差异化应用需求的可调谐 β-Ga₂O₃ 谐振式光热传感器研发,成为当前该领域亟待填补的研究空白。

 

主要内容

        谐振式光热传感器规避了载流子动力学带来的限制,是传统光电探测器的优良替代方案,但该类器件普遍存在响应度与响应速度相互制衡的固有问题。该团队提出一种基于热路径工程的设计策略,以此平衡两项性能指标。研究将热导率作为核心设计参数,实现传感器性能的按需调控,并以两端固支 β-Ga₂O₃ 纳机电谐振器为研究对象,借助多物理场仿真完成热力转换特性优化。结果表明,通过调控谐振器几何结构、增设电极热分流结构,可精准控制谐振频率的变化。器件频率响应度可达 -175.5 Hz/nW,噪声等效功率为 2.5 × 10⁻¹³ W/Hz¹ᐟ²。借助热分流结构,器件响应时间可从毫秒级缩短至微秒级。该研究为可定制化谐振光学传感器件提供了通用设计方法。

 

创新点

        •提出热路径工程调控策略,解决谐振式光热传感器响应度与响应速度相互制约的问题。

        •以两端固支 β-Ga₂O₃ 纳机电谐振器为载体,结合多物理场仿真验证性能调控方案。

        •器件实现 -175.5 Hz/nW 的频率响应度,噪声等效功率低至 2.5 × 10⁻¹³ W/Hz¹ᐟ²。

        •利用电极热分流结构,将器件响应时间由毫秒级提升至微秒级。

 

结   论

        该团队结合理论分析与 COMSOL 仿真,探究了两端固支型 β-Ga₂O₃ 谐振器的热响应特性。深紫外光照射会通过光热效应改变器件温度,引发热膨胀与应力重新分布,最终使谐振频率发生明显偏移,器件频率响应度可达 -175.5 Hz/nW。仿真结果表明,接触热阻、谐振器厚度与长度是影响器件响应特性的关键参数,对谐振器厚度和接触热阻进行优化,能够有效提升器件响应度。此外,引入金电极可显著降低器件工作温度,并将响应时间从毫秒级缩短至微秒级。本研究建立了一套设计框架,可通过调控电极尺寸与材料,实现谐振式机电传感器响应度、响应速度的定向优化,为同类器件开发提供参考。

 

项目支持

        本研究得到江苏省创新创业团队项目(grant JSSCTD202351)、江苏省基础研究计划(grant BK20230360)、江苏省青年科技人才托举工程(grant JSTJ-2024-428)以及电子测试测量技术科技重点实验室开放基金(grant 2024-DZCSJS-02)的资助。

图 1. β-Ga₂O₃ 纳机电谐振器的结构与日盲紫外传感机理。

图 2. 热响应分析。(a) 热流密度为 1 W/cm² 条件下的仿真温度分布;(b) 器件中心线处的温度与应变分布,误差棒代表温度、应变空间分布的标准差;(c) 热流密度与温度对热应力的影响;(d) 不同初始应力下谐振频率的仿真值与计算值;(e) 不同光强下的频率偏移量。

图 3. 不同初始应力条件下、长度介于 10~20 μm(b)、厚度介于 10~1000 nm(a)、接触热阻介于 1~30 K/μW(c)时 β-Ga₂O₃ 纳机电谐振器的响应度。

图 4. 日盲紫外探测测试。(a) 周期性热流作用下器件的温度与谐振频率变化;(b) 不同接触热阻对应的谐振器频率响应,插图为接触热阻与响应时间的对应关系。

图 5. 引入金电极开展器件性能调控。(a) 器件三维结构及截面示意图,电极总长度为 2b + w,a、c 分别代表电极宽度与厚度;(b) 不同电极尺寸下器件的温度变化;(c) 不同电极厚度(插图为电极宽度)对应的响应度与噪声等效功率;(d) 响应时间随电极厚度的变化关系(插图为电极宽度对应的变化曲线),误差棒代表解析拟合所得参数的不确定度。

 

DOI:

doi.org/10.1021/acsaelm.6c00366