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【器件论文】基于纳米多孔结构的设计以增强 Ga₂O₃ 光探测器中的全波段日盲吸收
日期:2026-06-22阅读:134
由福州大学的研究团队在学术期刊 IEEE Transactions on Nanotechnology 发布了一篇名为 Nanoporous design for enhancing full-band solar-blind absorption in Ga₂O₃ photodetectors(基于纳米多孔结构的设计以增强 Ga₂O₃ 光探测器中的全波段日盲吸收)的文章。
摘要
氧化镓以其超宽带宽、高电子漂移速度和优异的热稳定性为特点,在日盲紫外光探测器(SBUV-PDs)领域展现出巨大潜力,可应用于军事和民用领域,如导弹预警、火灾探测和安全通信。然而,传统金属-半导体-金属(MSM)结构的光探测器由于金属-半导体界面处的反射和吸收,以及半导体无法有效优化光吸收,导致其响应率未达最优。在本研究中,我们提出了一种在 Ga₂O₃ 薄膜中设计的周期性纳米孔结构,该结构利用入射光与 Ga₂O₃ 表面电子振荡之间的耦合,从而增加了有效吸收面积,并在结构内部诱导了光学干涉。与未经表面改性的结构相比,光暗电流比(PDCR)提高了一个数量级,从 2.39×10⁷ 增加到 4.26×10⁸,响应率提高了 5.87 倍,从 0.55 增加到 3.23 A/W。本研究有望为高性能 SBUV-PDs 的制造提供一种可靠策略。
原文链接:
https://ieeexplore.ieee.org/document/11561554/authors#authors

